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博格华纳全球第二大Viper生产基地启用｜三代半·电报: ▌博格华纳PDS苏州研发中心暨二期厂房启用日前，博格华纳PDS苏州研发中心暨二期厂房正式启用。据悉，研发中心将专注于电力电子、逆变器和DC/DC转换器等产品的全方位设计，并结合本土Viper功率模块 (硅基IGBT模块和碳 ...; 2023-3-22 09:12

预测：2031年SiC晶圆市场将达到29.4亿美元，年复合增长率15.3%: 近日，Straits Research发布了SiC晶圆市场的预测分析，主要亮点：1.北美是最重要的收入来源，预计在预测期内将以15.7% 的复合年增长率增长。2.到 2031 年，全球SiC 晶圆市场规模预计将达到29.4 亿美元，在预测期内（ ...; 2023-3-21 09:29

金刚石在 GaN 功率放大器热设计中的应用: 摘要：随着 GaN 功率放大器向小型化、大功率发展，其热耗不断增加，散热问题已成为制约功率器件性能提升的重要因素。金刚石热导率高达 2000 Ｗ/(m·K)，是一种极具竞争力的新型散热材料，可用作大功率器件的封装载片 ...; 2023-3-21 09:23

GeneSiC的“实力派”碳化硅功率器件: 前言路上随处可见的电动汽车、工厂里精密的机械手、草原上永不停歇的风力发电机...，电力进一步成为我们生活必不可缺的重要能源，这些加速能量转换的幕后英雄正是我们熟知的第三代半导体——氮化镓(GaN)和碳化硅（Si ...; 2023-3-21 09:22

【联盟活动】聚焦新一代半导体产业，中关村“火花”活动沙龙成功举办: 新一代半导体材料是产业变革的基石。从以硅为代表的第一代半导体材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体材料，以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体材料，到被视为第四代半导体最佳材料之一的氧化镓材料，半导 ...; 2023-3-21 09:19

GaN良率受限，难以取代IGBT: GaN要快速扩散至各应用领域，仍有层层关卡待突破。氮化镓（GaN）主要是指一种由人工合成的半导体材料，是第三代半导体材料的典型代表，研制微电子器件、光电子器件的新型材料。氮化镓技术及产业链已经初步形成，相 ...; 2023-3-20 09:28

西电张进成团队 | 一种具有叠层钝化结构的高耐压低功耗GaN功率器件: 2023-03-20 09:07GaN 功率器件具有高临界击穿场强、高开关频率、高转换效率等优点，在快充、电源、数据中心、电动汽车等领域具有广阔的应用前景。GaN 功率器件通常制备在基于硅或蓝宝石衬底的 AlGaN/GaN 异质结上。 ...; 2023-3-20 09:26

博世：重点布局碳化硅加大半导体投资: 近年来，以碳化硅为代表的第三代半导体材料凭借着在禁带宽度、击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导率以及抗辐射等关键参数方面的显著优势，进一步满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求，从而成为半导体材 ...; 2023-3-20 09:21

国内首家！厦门大学实现8英寸碳化硅外延生长: 近日，厦门大学成功实现了8英寸（200 mm）碳化硅（SiC）同质外延生长，成为国内首家拥有并实现该项技术的机构。作为第三代半导体的主要代表之一，碳化硅与硅相比，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率 ...; 2023-3-20 09:19

中国功率半导体，开启黄金十年: 随着国内功率半导体厂商对相关产品的持续研发，以及国外巨头的产能不断扩张，功率半导体如今已成为竞争激烈的“红海市场”。功率半导体的功能主要是对电能进行转换，对电路进行控制，改变电子装置中的电压和频率，直 ...; 2023-3-17 10:02

碳化硅市占率剑指30%！英飞凌预计到2027年SiC产能将增加10倍: 3月14日，德国汽车芯片供应商英飞凌举行了“数字低碳、制胜未来”媒体交流会。乘着低碳化、数字化的东风，2022财年英飞凌全球总营收创历史新高，达到142.18亿欧元。利润也攀升至33.78亿欧元，利润率达到23.8%。其中 ...; 2023-3-17 09:55

高压碳化硅 IGBT 器件的电学特性: 摘要借助计算机辅助设计技术(TCAD)仿真并结合基础物理建模，对SiCn和p沟道IGBT器件的电学特性进行比较研究。研究表明，在小电流密度下，n-IGBT电导调制效应较强，并具有较低的通态压降。而在较大的正向偏置电压下，p ...; 2023-3-17 09:25

最新碳化硅器件产能量产情况与下游终端应用进展分析: 随着技术进步，未来碳化硅器件的价格有望持续下降，其行业应用将快速发展。汽车是碳化硅器件的第一大应用市场，当前全球新能源汽车头部厂商正在逐渐采用导电型碳化硅功率器件，新一轮产业机会即将爆发。碳化硅，化学 ...; 2023-3-17 09:16

三菱电机宣布，投资建8吋SiC工厂，产能提高五倍: 三菱电机公司日前宣布，将在截至2026 年 3 月的五年内将之前宣布的投资计划翻一番，达到约 2600 亿日元，主要用于建设新的晶圆厂，以增加碳化硅 (SiC) 功率半导体的生产。根据该计划，三菱电机预计将响应快速增长的 ...; 2023-3-16 09:36

氧化镓晶体生长方法的选择: 两种用于生产β-Ga2O3的最常用技术——提拉法和导模法的优缺点是什么？作者：Jani JESENOVEC和John McCloy，华盛顿州立大学超宽带隙材料，如Ga2O3、AlN和金刚石，具有非常高的本征击穿电场，这使它们成为处理高功率 ...; 2023-3-16 09:28

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