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山东大学成功研制高质量4英寸氧化镓晶体: 近日，山东大学陶绪堂教授团队使用导模法(EFG)成功制备了外形完整的4英寸(001)主面氧化镓(β-Ga2O3)单晶，并对其性能进行了分析。劳厄测试衍射斑点清晰、对称，说明晶体具有良好的单晶性，无孪晶；X射线衍射摇摆曲线 ...; 2022-9-28 18:44

华润微：碳化硅、氮化镓获新突破: 近日，华润微在业绩说明会表示，上半年公司接受的订单比较饱满，整体产能利用率较高，公司各事业群营业收入均有所增长。其中，功率器件事业部在第三代化合物半导体器件领域取得显著进展。2022年上半年，华润微实现营 ...; 2022-9-28 18:44

国内首座35千伏/5兆瓦碳化硅柔性变电站在河北保定投运: 近日，国内首座35千伏/5兆瓦碳化硅柔性变电站在河北保定投入运行。该柔性变电站是国家重点研发计划项目“高压大功率碳化硅（sic）材料、器件及其在电力电子变压器中的应用示范”的验证工程，标志着国家电网自主研发 ...; 2022-9-28 18:42

罗姆的SiC“野心”：产能提升6倍，全球市占达3成: 根据《科创板日报》27日消息，碳化硅龙头罗姆（ROHM）社长松本功日前受访时表示，公司最早将于2022年内，在福冈县启用新厂房大楼进行生产。据悉，新厂房落成之后，罗姆的碳化硅功率半导体生产能力将提升至过去的6倍 ...; 2022-9-28 18:40

宽禁带半导体材料「双子星」——氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）: 对于 GaN，中文名氮化镓，我们实在是听得太多了。这要从近两年充电器上的疯狂内卷开始说起。好像从某个时间点开始，一夜之间，GaN 就如雨后春笋般出现在了充电行业。然后随之而来的，就是我们憧憬已久的幻想开始实现 ...; 2022-9-28 18:39

从太阳能到汽车：SiC 推动实现可再生的未来: 随着世界朝着更加绿色的可持续未来迈进，许多国家/地区正在减少化石燃料能源发电，转而使用可再生能源。2010 年至 2020 年，新型公用事业规模太阳能光伏 (PV) 项目的全球加权发电成本下降了 85%，陆上风电和海上风电 ...; 2022-9-27 16:08

全国首个企业级第三代半导体功率器件测试服务实验室开放: 泰克科技在北京成立【泰克先进半导体开放实验室】(TEK Advance Semiconductor Open Lab)，并邀请嘉宾一起见证启动开幕，这是全国首个企业级第三代半导体功率器件测试服务实验室。开放实验室以泰克测试设备为核心，结 ...; 2022-9-27 16:06

基本半导体完成数亿元C4轮融资: 9月23日消息，深圳「基本半导体」宣布完成数亿元C4轮融资，由德载厚资本、国华投资、新高地等机构联合投资，现有股东屹唐长厚、中美绿色基金等机构继续追加投资。　　本轮融资将用于进一步加强碳化硅产业链关键环节 ...; 2022-9-27 16:06

苏州又增SiC产线！多家企业联手: 前段时间，理想汽车碳化硅项目落户苏州高新区。最近，当地又有碳化硅项目签约落户。据苏州日报报道，9月19日，苏州赛晶CIDM特色工艺制造项目签约落户苏州高新区，据分析，该项目除了生产硅基MEMS器件，还将生产SiC器 ...; 2022-9-27 16:05

中车时代半导体拟111.19亿元投资中低压功率器件产业化建设项目: 智通财经讯，时代电气近日发布公告，基于公司及中车时代半导体的发展战略需求，利用我国能源转型升级的契机，打造产业链的优势，该公司控股子公司株洲中车时代半导体有限公司(“中车时代半导体”)拟投资中低压功率器 ...; 2022-9-27 16:04

宽带隙 (WBG) 功率器件的变革: *Vol.114报告主题：宽带隙 (WBG) 功率器件的变革报告作者：Anant Agarwal报告内容包含：（具体内容详见下方全部报告内容）为什么选择宽带隙半导体用于功率开关过去 25 年的发展简史展望未来 --50% 的可再生能源并网. ...; 2022-9-23 14:47

第三代半导体关键材料研发商汉骅半导体完成数亿元B轮融资: 半导体产业网获悉：近日，苏州汉骅半导体有限公司完成数亿元B轮融资，由苏州冠亚领投，弘晖资本、望睿投资、高新金控等共同投资。　　据了解，汉骅半导体由江苏产研院/国创中心、苏州工业园区作为基石投资人，与海外 ...; 2022-9-23 14:46

小鹏发布国内首款搭载800V碳化硅高压电驱平台量产电动车G9: 小鹏汽车9月21日晚召开发布会上市小鹏G9新能源电动车，定位“超快充全智能SUV”，新车售价30.99万元-46.99万元，有望于2022年10月底开始正式交付。值得注意的是，小鹏G9是国内首款搭载800V碳化硅高压电驱平台量产电 ...; 2022-9-23 14:46

安森美SiC扩产：产能提高16倍: 今天，安森美庆祝其在捷克共和国 Roznov 扩建的碳化硅 (SiC) 工厂的落成。从 2019 年开始，onsemi 将 SiC 抛光晶圆和 SiC 外延 (EPI) 晶圆生产添加到其在 Roznov 现有的硅抛光和外延晶圆和die制造中，并在去年开始重 ...; 2022-9-23 14:44

自支撑GaN衬底上的高性能常关型PGaN栅极HEMT: 摘要：本文做出了自支撑GaN衬底上的高性能常关型PGaN栅极HEMT，用AlN截止层和SF6基刻蚀气体做到了自终止刻蚀技术。对比Si基HEMT，GaN on GaN HEMT电流密度更高，低亚阈值摆幅更低，漏电流更低，静态和动态电阻更低， ...; 2022-9-22 13:53

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