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联盟动态

碳化硅迈入加速成长期,2027年市价值达63亿美元
碳化硅迈入加速成长期,2027年市价值达63亿美元
根据市场研究战略顾问公司Yole Développement预测,碳化硅元件将从2021年10.9亿美元成长到2027年63亿美元,年复合成长率达到34%。特斯拉在2020年和2021年有多款新发布的电动车都在变压器上采用碳化硅元件。根据Yole ...
2022-5-5 11:02
狼的速度:豪赌8英寸碳化硅晶圆厂,筹码有几何?
狼的速度:豪赌8英寸碳化硅晶圆厂,筹码有几何?
4月25日,Wolfspeed正式启用其位于美国纽约州马西的最先进的莫霍克谷碳化硅制造厂。拆分出LED业务之后,某一种意义上押注碳化硅是一个豪赌。作者|隐德来希 校对|思坦芯观点──聚焦国内外产业大事件,汇聚中外名人 ...
2022-5-5 11:01
碳化硅晶锭切割的里程碑-金刚线多线切割机
碳化硅晶锭切割的里程碑-金刚线多线切割机
2021年9月,我司芯茂(嘉兴)半导体科技有限公司与日本安永株式会社、吉永商事株式会社达成战略合作,为进一步应对国内碳化硅市场的急速发展,满足业内客户的扩产需求,安永公司在我司芯茂科技(浙江嘉善)放置中国首 ...
2022-5-5 10:58
SiC离子注入和高温退火工艺及监控
SiC离子注入和高温退火工艺及监控
在传统的Si功率器件工艺中,高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法,两者各有优缺点。一般来讲,高温扩散工艺简单,设备便宜,掺杂分布轮廓是等向性的,并且高温扩散工艺引入的晶格损伤低。而离子注入工艺复杂设 ...
2022-4-29 18:21
碳化硅迈入加速成长期,2027年市价值达63亿美元
碳化硅迈入加速成长期,2027年市价值达63亿美元
根据市场研究战略顾问公司Yole Développement预测,碳化硅元件将从2021年10.9亿美元成长到2027年63亿美元,年复合成长率达到34%。特斯拉在2020年和2021年有多款新发布的电动车都在变压器上采用碳化硅元件。根据Yole ...
2022-4-29 18:20
强强联手!罗姆与台达电子合作开发600V GaN元件
强强联手!罗姆与台达电子合作开发600V GaN元件
4月27日,罗姆宣布与台达电子就第三代半导体GaN(氮化镓)功率器件的开发与量产缔结战略合作伙伴关系。双方将利用台达多年来积累的电源开发技术与罗姆的功率元器件开发和生产技术,联合开发适合更多电源系统的600V耐 ...
2022-4-29 18:20
北科大在(111)金刚石衬底上成功制备高性能C-Si MOSFET器件
北科大在(111)金刚石衬底上成功制备高性能C-Si MOSFET器件
随着集成电路工艺步入22 nm工艺节点,传统的硅基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)所产生的短沟道效应及低的击穿电压使其不再满足高频高功率电子器件领域的需求。近年来,金刚石基MOSFETs的相关研究引起了人们 ...
2022-4-28 15:03
AlN晶体管是下一代半导体材料?
AlN晶体管是下一代半导体材料?
#AlN(氮化铝)比SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)具有更低的损耗和更高的耐压。近日,一家日本公司(NTT)表示,他们使用AlN(氮化铝)成功实现晶体管操作,这使AIN有望成为超越SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)的下一代 ...
2022-4-28 15:02
氧化镓:第四代半导体材料走进风口
氧化镓:第四代半导体材料走进风口
文︱郭紫文图︱网络后摩尔时代,业界开始了对新架构、新工艺、新材料的全面探索,以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体脱颖而出,在高压、高温、高频等应用场景中逐渐展露广阔的市场发展潜力。事实上,在材料技术领 ...
2022-4-28 15:01
Wolfspeed全球首座200mm SiC工厂开业,提升备受期待的器件生产
Wolfspeed全球首座200mm SiC工厂开业,提升备受期待的器件生产
Wolfspeed 全球首座 200mm SiC 工厂盛大开业,提升备受期待的器件生产位于美国纽约州的新工厂扩大 Wolfspeed 制造产能满足从汽车到工业等诸多应用对于 SiC 器件急剧增长的需求碳化硅(SiC)技术和制造的全球引领者 W ...
2022-4-28 15:01
高压大功率压接型 IGBT 器件封装技术研究综述(下)
高压大功率压接型 IGBT 器件封装技术研究综述(下)
2.2.2 多芯片并联均流大功率 IGBT 器件由多个芯片并联,在实际应用过程中,由于多种因素的影响,并联芯片在开关过程中的电流分配不均衡。对于焊接 IGBT 模块,已有的研究结果表明,影响并联芯片电流分布不一致的主要 ...
2022-4-27 18:08
高压大功率压接型 IGBT 器件封装技术研究综述(上)
高压大功率压接型 IGBT 器件封装技术研究综述(上)
0 引言高压大功率压接型 IGBT 器件结合了 IGBT 和GTO 两者的优点,具有功率密度大、寄生电感低、双面散热、失效短路等特点,非常适合于柔性直流输电等高压大容量换流装备。压接型 IGBT 器件的封装形式来源于 GTO 的 ...
2022-4-27 18:07
车用功率半导体制造!联电将与电装合作
车用功率半导体制造!联电将与电装合作
中国台湾晶圆代工厂商联电今(26)日发布公告称,联电日本子公司USJC将与日本电装(DENSO)合作车用功率半导体制造,并将为DENSO建设一条IGBT产线。据悉,DENSO将提供其系统导向的IGBT元件与制程技术,而USJC则提供1 ...
2022-4-27 18:06
聚焦|芯聚能碳化硅主驱模块正式量产上车
聚焦|芯聚能碳化硅主驱模块正式量产上车
芯聚能SiC+smart芯聚能碳化硅主驱模块正式量产上车smart精灵#1量产车型昨晚(2022年4月25日)在北京发布并接受预定,芯聚能碳化硅主驱模块成功登陆smart精灵#1量产车,成为国内第一批由第三方提供的,进入量产乘用车 ...
2022-4-27 18:05
特斯拉、理想都表态!800V SiC市占率将冲15%?
特斯拉、理想都表态!800V SiC市占率将冲15%?
800V充电架构可以实现更快的充电、更长续航,保时捷、奥迪、起亚、现代、小鹏等众多车企都已推出相关车型。最近,理想汽车和特斯拉也表示正在研发800V系统。800V和碳化硅是“绝配”,已有碳化硅企业获得超过70亿的相 ...
2022-4-25 10:22

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