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产品介绍 | 富士电机第2代1200V All-SiC模块产品系列: 全球市场对碳化硅材料研究已经有了较长时间，但商用化研究的时间并不长，截止到目前，整个产业仍处于发展初期。一直以来，碳化硅产业以美、欧、日厂商为主，国内全产业链布局相对完成，实现了小批量到规模化、商业化 ...; 2022-1-12 10:50

北京大学于彤军教授：大尺寸AlN单晶的同质PVT生长研究: AlN单晶具有超宽的直接带隙、高击穿场强、优异的压电特性和非线性光学性质，特别是与AlN与GaN晶格失配小，热膨胀系数接近，热导显著高于GaN，使其成为实现高质量氮化物同质外延生长、满足高功率密度器件散热需求最优 ...; 2022-1-12 10:50

72亿！2022碳化硅首个大单诞生: 碳化硅又有大订单了！1月10日，Vitesco Technologies（纬湃）宣布，他们的800V碳化硅逆变器获得了北美某汽车制造商的大订单，订单价值超过10亿欧元（约72亿元人民币）。纬湃还表示，他们计划开始扩产，于2025年初在 ...; 2022-1-12 10:49

从IGBT到SiC，特斯拉汽车功率器件的变迁: 互联网上关于特斯拉电动汽车的拆解和分析很多，例如老爷子Sandy Munro对Model 3/Y和油管上Weber Auto等up主对动力总成部分的拆解，杨逸轩@知乎也写了一系列不错的综述文章。考虑到这些视频或者报告多集中在整车或者 ...; 2022-1-12 10:48

功率半导体产业研究：电动车大时代，碳化硅新世界（下）: （三）IDM 模式最终胜出，产业链各个环节的竞争力综合体现IGBT 下游的需求主要集中在汽车、工业控制和家电等领域，不同于 MOSFET 多以分立器件形式应用为主， IGBT 则以更常见的形式如 IGBT 模块和 IPM 模块广泛应用 ...; 2022-1-11 11:05

功率半导体产业研究：电动车大时代，碳化硅新世界（上）: 一、物联网驱动的电动化和智能化带来功率半导体新周期（一）复盘 2020-2021 年功率半导体周期：涨价与隐忧2019 年底开启的 5G 手机渗透率提升成为整个半导体行业需求动能的来源，市场对于 5G 手机在未来几年的强劲 ...; 2022-1-11 11:04

氮化镓的合成制备及展望: 摘要：氮化镓作为第三代半导体的代表，具有优越的电学性能，它在光电子器件如：蓝光、紫外、紫光等光发射二极管和激光二极管方面有着重要的应用.。氮化镓的合成制备，对全球半导体产业的发展具有重要意义，目前已经 ...; 2022-1-11 11:02

浅析蔚来第二代电驱系统: 在电气化时代，电池、电机、电控系统被统称为三电或“新三大件”，可以说这三部分决定了一辆电动车动力、能耗、续航等这些最基本且重要的素质。“三大件”的开发和研究也被车企看作是造车的基石，蔚来为了巩固自己的 ...; 2022-1-11 11:01

瞄准车规级半导体芯片，清华大学-闻泰科技成立联合研究中心: 集微网消息，1月7日，清华大学-闻泰科技工业与车规半导体芯片联合研究中心揭牌仪式在清华大学FIT楼多功能厅举行，揭牌仪式由科研院副院长甄树宁主持，清华大学副校长曾嵘、集成电路学院院长吴华强、闻泰科技董事长张 ...; 2022-1-11 11:01

中车时代与广汽成立合资公司，主攻半导体: 近日，由株洲中车时代半导体有限公司与广汽集团下属广汽零部件有限公司合资成立的广州青蓝半导体有限公司，在广州番禺成功注册成立。2021年，广汽集团全年累计终端销售汽车突破217万辆，位列世界500强企业第176名。 ...; 2022-1-11 11:00

工程师两难之GaN还是SiC？到底该pick谁？: 氮化镓晶体管和碳化硅 MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓晶体管的极小寄 ...; 2022-1-10 13:40

第三代半导体器件刚开始商用，第四代半导体材料研究取得不少突破: 电子发烧友网报道（文/程文智）这几年GaN和SiC等第三代半导体器件的商用化进展还不错，GaN器件在快充上开始大规模应用，SiC器件也在汽车上崭露头角。现在大家对第三代半导体器件的前景非常看好，很多企业也一头扎入 ...; 2022-1-10 13:40

氮化镓技术洞察报告: 越来越多的人在使用手机快充充电器的时候可能不经意间会发现氮化镓（GaN）这个专业名词，实际上，正是“氮化镓”这一第三代半导体材料的技术突破，让第三代半导体能实现更多的场景应用，例如氮化镓电子器件具有高频 ...; 2022-1-10 13:39

SiC半导体功率器件工艺以及表征: 按照掺杂后电阻率来分类，碳化硅衬底主要有导通型衬底和半绝缘衬底两种。导通型碳化硅衬底具有低电阻率，特别适合垂直型功率器件的制造用来降低串联电阻，而减少功率损耗。而半绝缘衬底具有较高电阻率，多用于横向高 ...; 2022-1-10 13:39

电科材料天津市半导体材料创新中心获批筹建: 近日，天津市工业和信息化局批复电科材料筹建天津市半导体材料创新中心，该创新中心成为目前天津市已批复的11个制造业创新中心之一，并成为天津市首个电子材料领域制造业创新中心，为电科材料进一步打造国家级制造业 ...; 2022-1-7 10:42

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