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一种结合了SiC和GaN优势的晶体管: 这是电力电子领域令人兴奋的时代。在硅占据主导地位数十年后，两种较新的材料——碳化硅和氮化镓——已经开始占领价值数十亿美元的市场。例如，碳化硅现在是电动汽车逆变器和充电器的首选半导体。如果您最近为智能手 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-18 09:40

飞锃半导体：1200VSiC器件累计出货2400万颗！路虽远，行则将至: 导读：飞锃半导体在碳化硅市场利用CIDM运营模式，与供应商和客户达成了更灵活的合作方式。到目前为止，飞锃半导体是国内当前为数不多可大批量出货SiC Mos产品的碳化硅器件供应商，截止到2023年飞锃半导体的1200V碳化 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-18 09:37

多孔石墨对碳化硅晶体生长影响的数值模拟研究: 分类: 新闻通知 2024-1-17 09:27

imec展示了GaN-on-Si MISHEMT，其性能适合5G高级基站和移动设备等应用: 第69届国际电子器件会议（IEEE IEDM 2023）在旧金山举行（12月9日至13日），会上比利时鲁汶纳米电子研究中心imec展示了200 mm硅基上的氮化铝/氮化镓（AlN/GaN）金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MISHEMT），该 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-17 09:21

多款产品通过车规级认证，瞻芯电子持续发力: 近日，据瞻芯电子官微消息，瞻芯电子采用TO263-7封装的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ产品IV2Q06040D7Z通过了严苛的车规级可靠性认证。此外，瞻芯电子同步推出了650V 60mΩ规格的车规级263-7封装产品IV2Q06060D7Z。据 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-17 09:17

KAUST研制出宽禁带堆叠CMOS晶体管: In the world of electronic advancements, a new technology called stacked CMOS transistors is making waves. Oxide semiconductors, known for their ability to work well in various conditions, are becomin ...; 分类: 新闻通知 2024-1-16 09:30

团体标准《6~8 英寸碳化硅单晶抛光片》正式发布: 2024年1月12日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式发布团体标准《6~8 英寸碳化硅单晶抛光片》。随着碳化硅单晶生长和加工技术的进步，6英寸碳化硅单晶抛光片的生长质量和加工质量也得到进一步提升。另外国内8 ...; 分类: 公告通知 2024-1-16 09:10

宽禁带半导体大讲堂——8英寸时代，设备厂商如何破局量产问题？: 宽禁带半导体大讲堂是宽禁带联盟携手机械工业出版社全新打造的聚焦于宽禁带半导体行业的精品活动，通过线下+线上同步直播的形式，为观众传播宽禁带半导体行业发展大事件、技术新突破、产业新进展、投资新观点，让观 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-16 09:08

Transphorm为何会被瑞萨电子选中？: 1月11日，瑞萨电子与Transphorm共同宣布双方已达成最终收购协议，根据该协议，瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股，此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元（约24.27亿人民币）。sour ...; 分类: 新闻通知 2024-1-15 10:11

中科院物理所陈小龙团队：晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破: 碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能，在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。与目前应用广泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高的载流子迁移率(2-4倍)、低 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-15 09:42

频签上游合作，英飞凌的扩产“底气”: 近日，据英飞凌官网消息，英飞凌已与碳化硅(SiC)供应商 SK Siltron CSS 正式达成协议。根据协议，SK Siltron CSS将为英飞凌提供具有竞争力的高质量150mm SiC晶圆，支持SiC半导体的生产。在后续阶段，SK Siltron CSS ...; 分类: 新闻通知 2024-1-12 09:32

宽禁带科技论|浙江大学在物理气相传输法生长碳化硅单晶初期贯穿型位错形核机制研究方 ...: 半导体碳化硅（4H-SiC）具有禁带宽度大、击穿场强高、电子饱和速度高和热导率高等优异特性，在高频、高功率电子器件领域有重要应用前景。基于4H-SiC单晶制备的功率芯片将广泛应用于电动汽车、智能电网、轨道交通等领 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-12 09:25

一周晶体前沿——宽禁带半导体: 面向科技前沿，聚焦人工晶体，汇集研究新进展！一周晶体前沿，一周一期介绍国际权威期刊近期刊发的晶体类精选论文。为方便广大读者浏览，我们已将其摘要译成中文。本期推出由中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-11 09:47

宽禁带联盟第六批团体标准送审稿评审会顺利召开: 2024年1月10日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）第六批团体标准送审稿评审会顺利召开，本次评审会采取线上评审的形式，分别对《SiC MOSFET 阈值电压测试方法》、《碳化硅外延层深能级 ...; 分类: 联盟动态 2024-1-11 09:31

微射流激光技术基于大尺寸金刚石材料分片的研究: 摘要：金刚石在应用于高功率、高频、高温及低功率损耗电子器件方面具有显著优势，被业界誉为“终极半导体”。本研究使用微射流激光技术对单晶金刚石晶体进行切片加工，并采用亚纳米级白光干测仪进行材料形貌分析，当 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-10 11:15

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