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全球氧化镓产业发展概况及对我国的启示: 引言宽禁带半导体往往具备高的击穿场强、高的电子饱和速度和强的抗辐射等特性，在全球半导体产业博弈加剧的背景下，近年来持续受到产业界的高度关注。宽禁带半导体材料主要以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-18 09:12

河北大学：基于碳化硅功率器件的高频感应焊机设计: 文章来源：电源学报河北大学电子信息工程学院：柴艳鹏，王培光，宗晓萍，王贺瑞摘要：高频感应焊机可用于钢管直缝焊接，主要特点为开关频率高和设备功率大，功率器件为硅MOSFET 和硅快恢复二极管。由于硅基功率器件 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-15 09:45

小鹏汽车杨恒：碳化硅器件在新能源车电驱动系统的应用: 随着全球及国内在新能源汽车、新能源发电和储能等终端市场需求的快速增长，行业对碳化硅衬底需求呈现出持续旺盛的趋势。800V和大规模充电桩的建设推动碳化硅材料和技术的需求增长。800V作为电动汽车领域的新技术，相 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-15 09:38

英飞凌 | 2024年将是SiC在车载充电机的爆发年，2025年后GaN车载充电机方案: 日前，IEDM 2023（2023 IEEE国际电子器件会议）在美国旧金山召开，IEDM是全球最大的电子器件国际会议。本次 IEEE IEDM 年会的主题是 "基于 60 年 CMOS 技术的智能世界设备"会议第一天，全球最大的功率半导体制造 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-15 09:33

北方华创：碳化硅外延设备技术研究: 碳化硅外延设备技术研究袁福顺，邓晓军，李庆岩，王石北方华创微电子装备有限公司，北京摘要碳化硅外延技术是采用化学气相沉积设备在N型4H-SiC 衬底上进行同质外延生长，而外延生长设备所具有的温度场和气流场的状态 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-15 09:27

华为计划2024年部署超10万个超充桩，将带来海量碳化硅衬底需求: 12月7日，在海南省海口市举行的2023世界新能源汽车大会上，华为数字能源技术有限公司总裁侯金龙发表了“全面高压化，全面超快充，推动新能源汽车与充电基础设施高质量协同发展”主题演讲。侯金龙表示，华为数字能源 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-14 09:48

南瑞半导体自主研发的1200V/40mΩ SiC MOSFET通过车规级可靠性认证: 近日，南瑞半导体自主研发的1200V/40mΩ SiC MOSFET器件（NCM40S12T4K2）顺利通过AEC-Q101车规级可靠性认证。标志着南瑞半导体产品质量达到了国际领先水平，为其新能源汽车领域市场的拓展奠定了坚实基础。AEC-Q101认 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-14 09:44

英特尔发力氮化镓: 在最近的IEDM大会上，英特尔表示，已将 CMOS 硅晶体管与氮化镓 (GaN) 功率晶体管集成，用于高度集成的48V设备。具有集成驱动器的 GaN 器件由 Cambridge GaN Devices、EPC 和 Navitas 以及英飞凌领导的欧洲重大研究项 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-14 09:35

Boost变换器中SiC与IGBT模块热损耗对比研究: 文章来源：伍丰1 ,2 ，张灵芝1 ,2 ，蒋逢灵1 ,2 (1.湖南铁路科技职业技术学院；2.湖南省高铁运行安全保障工程技术研究中心)摘要：针对Boost变换器中SiC(碳化硅)与IGBT模块热损耗问题，给出了Boost电路中功率模块热 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-14 09:31

关于碳化硅，这几张图值得研究: *以下内容为Porsche Consulting在SEMICON Europa的报告内容编译概括Porsche Consulting - SiC: Paving the way for sustainable mobility碳化硅是提高汽车电力传动系统性能、效率、封装和重量的重要技术手段，同时还 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-13 09:53

【报告分享】金锐：碳化硅MOSFET研究进展分析: 11月9日，第四届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2023）在北京召开。我们邀请到了北京智慧能源研究院教授级高级工程师金锐在会上作了题为“碳化硅MOSFET研究进展分析”的报告。碳化硅作为第三代宽禁带半导体 ...; 分类: 联盟动态 2023-12-13 09:41

动态 | 美国亚利桑那州立大学成功制备出3kV AlN基肖特二极管: 原文题目：3 kV AlN Schottky Barrier Diodes on Bulk AlN Substrates by MOCVD原文作者：Dinusha Herath Mudiyanselage, Dawei Wang, Ziyi He, Bingcheng Da, and Houqiang Fu, Arizona State University原文链接： ...; 分类: 新闻通知 2023-12-12 09:37

4H-SiC MOSFET 栅氧界面性能提升工艺: 由于碳化硅（SiC）具有宽带隙、高击穿电场等较为优异的电学性能， SiC基功率器件在电力电子系统中的潜在应用受到越来越多的研究关注。其中，SiC基金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件是现代微电子芯片中的关 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-12 09:34

科技小饭局2023收官之作——“新芯向荣” 活动开始报名啦！: 2023犇赴前行，2024龙行龘龘。宽禁带半导体产业作为战略性新兴产业，目前我国已经建立了从材料、装备、器件到应用的全产业链创新体系，为产业高质量发展提供了有力支撑。以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化镓（Ga2O3 ...; 分类: 公告通知 2023-12-12 09:24

工信部原部长苗圩：新能源车渗透率超50%的目标或提前十年实现: “虽然上半场中国新能源汽车打得很好，但是决定胜负的还在于以智能汽车发展为代表的下半场竞争。”近日，全国政协常委、经济委员会副主任、原工业和信息化部部长苗圩在2023第十八届中国汽车产业论坛表示，中国汽车市 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-11 09:55

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