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中国科大零回滞氧化镓光电晶体管——从光电导效应到光栅效应
中国科大零回滞氧化镓光电晶体管——从光电导效应到光栅效应
摘要日盲紫外探测器在深空探索、火灾预警、光刻等关键领域应用广泛,探测需求多样化。中国科学技术大学龙世兵教授、胡芹研究员团队利用范德华堆叠构建了零回滞氧化镓日盲光电晶体管。该晶体管的光响应可在光电导(ph ...
分类:    2022-5-13 18:17
转向8英寸,宽禁带半导体成本要降?
转向8英寸,宽禁带半导体成本要降?
近日,多家半导体头部企业加速布局8英寸宽禁带半导体制造。5月9日,有消息称,联电加速布局8英寸晶圆宽禁带半导体制造,近期正大举购置新机台扩产,预计下半年进驻厂区。5月9日,半导体材料企业Soitec半导体公司发布 ...
分类:    2022-5-13 18:16
产能提升300%,GaN又有新技术
产能提升300%,GaN又有新技术
5月5日,《自然》期刊发表一项氮化镓单晶的激光减薄新技术,其作者包括诺贝尔得主天野浩。据介绍,该技术可以将氮化镓衬底产能提升3倍,同时可以省去衬底抛光工艺,因此有助于帮助降低氮化镓单晶器件制造成本,该技 ...
分类:    2022-5-12 17:21
6 英寸 SiC 单晶质量对 GaN 外延薄膜的影响
6 英寸 SiC 单晶质量对 GaN 外延薄膜的影响
摘要大直径高质量 SiC 衬底对提高 SiC 和 GaN 器件的良率、降低器件成本具有重要意义。然而,随着单晶直径的扩大,如何实现衬底片内单晶质量均匀性是亟需解决的问题之一。使用数值模拟软件构建了两种生长模型并研究 ...
分类:    2022-5-12 17:20
罗姆集团旗下的 SiCrystal成立25周年
罗姆集团旗下的 SiCrystal成立25周年
全球知名半导体制造商罗姆集团旗下的 SiCrystal GmbH(以下简称“SiCrystal”)迎来了成立25周年纪念日。SiCrystal是一家总部位于德国纽伦堡的SiC(碳化硅)晶圆制造商,通过25年的发展,目前已将业务范围扩大到全世 ...
分类:    2022-5-12 17:17
功率半导体缺货持续,碳化硅缺口如何?
功率半导体缺货持续,碳化硅缺口如何?
1此轮功率半导体缺货潮持续,可能延续至2023年功率半导体缺货仍在持续,近日有业内人士表示,目前IGBT又出现交货紧张情况,“从交货周期看,已全线拉长到50周以上,个别料号周期更长。”同时,富昌电子等分销商官网 ...
分类:    2022-5-12 17:16
行业 | AlN单晶衬底,这个英寸非终点
行业 | AlN单晶衬底,这个英寸非终点
氮化铝(AlN)是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料,具有很多优良的性质。其禁带宽度高达6.2eV,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学和热稳定性,以及高导热、抗辐射等优异性能。可作为紫外/深紫外LED最佳衬 ...
分类:    2022-5-11 11:58
山西省启动国家第三代半导体技术创新中心(山西)建设
山西省启动国家第三代半导体技术创新中心(山西)建设
5月7日,在山西省科技工作会议上,确定2022年为“创新生态建设提质年”,将重点实施八大提质行动。其中包括,聚焦高水平科技供给,实施关键核心技术攻坚提质行动。积极争取“煤炭清洁高效利用”等科技创新—2030重大 ...
分类:    2022-5-11 11:57
25 kW SiC直流快充设计指南(第四部分):DC-DC级的设计考虑因素和仿真
25 kW SiC直流快充设计指南(第四部分):DC-DC级的设计考虑因素和仿真
作者:安森美(onsemi)Karol Rendek, Stefan Kosterec在“开发基于碳化硅的25 kW快速直流充电桩” 系列的这篇新文章中,我们聚焦DC-DC双有源相移全桥(DAB-PS)零电压开关(ZVS)转换器,其简介和部分描述参见第二部分。 ...
分类:    2022-5-11 11:56
SiC MOSFET单管并联均流特性及1200V产品参数分散性对并联均流影响
SiC MOSFET单管并联均流特性及1200V产品参数分散性对并联均流影响
在新型电力电子器件领域,碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管器件与传统的硅基器件相比,拥有更高的临界击穿场强、更好的热传导性能、更小的导通电阻、更高的电子饱和速度以及更小的芯片面面积,这些优良特性使得基 ...
分类:    2022-5-11 11:55
国际首创!浙大杭州科创中心首次采用新技术成功制备2英寸氧化镓晶圆
国际首创!浙大杭州科创中心首次采用新技术成功制备2英寸氧化镓晶圆
实现“双碳”目标,科技创新是关键引擎。使用氧化镓制作的半导体器件可以实现更耐高压、更小体积、更低损耗,在新能源汽车、轨道交通、可再生能源发电等领域降低能源消耗方面前景无限。氧化镓产品的研制已经成为国际 ...
分类:    2022-5-10 17:44
SiC 电力电子学产业化技术的创新发展
SiC 电力电子学产业化技术的创新发展
0 引言以 Si 金 属 - 氧 化 物 - 半导体场效应晶体 管( MOSFET) 、Si 绝缘栅双极晶体管 ( IGBT) 和二极管为代表的 Si 电力电子学,以其优良的材料质量、易于加工、可低成本大规模生产和可靠性高等特点,目前仍是电 ...
分类:    2022-5-10 17:44
设计基于SiC的电动汽车直流快速充电机
设计基于SiC的电动汽车直流快速充电机
电动汽车(EV)直流快速充电机绕过安装在电动汽车上的车载充电机,直接为电池提供快速直流充电。如下图所示,直流快速充电机由一级 AC-DC 和一级 DC-DC 组成:图 1. 直流快速充电机由一级 AC-DC 和一级 DC-DC 组成在 ...
分类:    2022-5-10 17:43
第三代半导体正在走向“巅峰”
第三代半导体正在走向“巅峰”
第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)具备高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等物理特性,因此其天然适合对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件要求较高的应用,被视为电力电子领域的颠覆性技术。 ...
分类:    2022-5-10 17:42
【征集】2022科创中国·科技创新创业大赛评审专家
【征集】2022科创中国·科技创新创业大赛评审专家
2022征集评审专家科创中国·科技创新创业大赛投资专家 /技术专家 / 科创中国 /创新创业2022科创中国·科技创新创业大赛:https://kczg.zgclmlhh.org.cn/r/index为保证即将进行的评审工作高质量地有序开展,现面向各 ...
分类:    2022-5-10 17:21

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