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抢滩车用SiC市场，比亚迪半导体上市时间确定了: 历经一次IPO中止，比亚迪半导体即将迎来创业板首发上会。1月20日，深交所创业板上市委2022年第五次审议会议公告显示，比亚迪半导体等三家企业将于1月27日在创业板首发上会。据了解，比亚迪半导体以车规级半导体为核 ...; 分类: 联盟动态 2022-1-24 14:21

派恩杰：2022国产车规SiC将爬坡上量: 本期专访嘉宾：派恩杰创始人兼总裁黄兴三代半风向：您认为，过去的一年，第三代半导体产业有哪些比较重要的事件？黄兴：新能源受到全球政府的推动与支持，与新能源相关的半导体芯片需求激増，导致产能紧缺。绿色低碳 ...; 分类: 联盟动态 2022-1-24 14:19

8英寸硅基GaN龙头英诺赛科增设美国硅谷及比利时办公室: 中国8英寸硅基氮化镓（GaN）功率器件IDM厂商英诺赛科宣布启动国际业务，通过在美国硅谷及比利时鲁汶增设设计及销售支持办公室，为客户提供更好的支持与服务。集微网消息，近日，中国8英寸硅基氮化镓（GaN）功率器件I ...; 分类: 联盟动态 2022-1-24 11:46

“双碳”目标下三代半导体的发展分析: 摘　要：第三代半导体是以碳化硅和氮化镓为代表，具备高频率、高效率、高功率、耐高压、耐高温、高导热等优越性能，是新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网产业自主创新发展和转型升级的重点核心材 ...; 分类: 联盟动态 2022-1-24 11:45

总投资90亿元，背后是吉利？这个碳化硅项目迎来新进展: 1月15日，广州芯粤能半导体项目顺利完成首块筏板浇筑，这标志着项目进入主体结构施工阶段。据悉，项目位于广州市南沙区万顷沙镇，总建筑面积约15.9万平方米，主要建设内容包括芯片生产厂房、生产调度研发厂房、综合 ...; 分类: 联盟动态 2022-1-21 11:22

Transphorm上个月出货超过100万颗SuperGaN芯片: 出厂的FET用于亚太地区新老客户制造的45 W至300 W电源适配器和快速充电器GaN 公司 Transphorm 宣布，在2021 年 12 月，其 SuperGaN Gen IV FET出货超过 100 万个。这一里程碑证实了该公司先前声明的有满足大批量合格 ...; 分类: 联盟动态 2022-1-21 11:16

东芝半导体全新SiC-MOSFET，强悍性能一睹为快！: 今日，东芝在官网发布了最新研发的SiC-MOSFET器件—MG800FXF2YMS3。据悉，该款新产品采用具有高度安装兼容性的iXPLV（智能软包装低压）封装，满足了轨道车辆逆变器和转换器以及可再生能源发电系统等工业应用对于高效 ...; 分类: 联盟动态 2022-1-21 11:12

【标准复审】关于开展宽禁带联盟第二批团体标准复审工作的通知: 关于中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟第二批团体标准的复审通知各相关单位：截至2021年底，宽禁带联盟第二批团体标准已发布实施满三年，根据《中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟团体标准管理办法》（以下简称《 ...; 分类: 公告通知 2022-1-21 11:07

回顾 | 2021全球碳化硅衬底产能扩产潮的背后: 下游需求触动全球碳化硅产业迎扩产潮2021年，随着新能源汽车、5G 等应用起量，对碳化硅衬底需求升温，许多碳化硅衬底企业相继投入布局，今年下半年以来，不少厂商扩大投资产能、或以签长约方式确保上游材料稳定供应 ...; 分类: 联盟动态 2022-1-20 15:35

垂直结构GaN功率器件的最新进展: 近年来，宽禁带（WBG）电力电子器件的发展取得了显著进展，其主要驱动因素是其比硅器件更高的开关频率，以及由此提高开关模式功率转换器的功率密度和效率的能力。大多数商用WBG功率器件基于碳化硅（SiC）或氮化镓（G ...; 分类: 联盟动态 2022-1-20 15:34

SiC冲64亿！2022意法半导体有哪些动作？: 2021年，第三代半导体产业迎来了“高光时刻”，2022年，产业如何更好地“乘风破浪”？除旧迎新之际，“三代半风向”特别邀请了一批SiC、GaN产业专家，一同回顾2021、展望2022，希望通过一系列专访报道，为产业打开新 ...; 分类: 联盟动态 2022-1-20 15:34

碳化硅和氮化镓机会来了？我国新能源汽车连续7年销量全球第一: 日前，工信部发布数据显示，2021年，我国新能源汽车销售完成352.1万辆，连续7年位居全球第一。其中，新能源汽车出口表现突出。2021年，新能源汽车出口31万辆。电动化浪潮势不可挡，这给碳化硅和氮化镓带来了极大的机 ...; 分类: 联盟动态 2022-1-20 15:33

A*STAR 和 Soitec 宣布开展 SiC 研究合作: 合作将使用 Soitec 的 Smart Cut 技术和 IME 的试验生产线来制造 200 mm 直径的 SiC 半导体衬底新加坡科学技术研究局 (A*STAR) 的微电子研究所 (IME) 和半导体材料公司 Soitec 宣布开展研究合作，开发下一代 SiC 半 ...; 分类: 联盟动态 2022-1-19 11:24

华润微：IGBT 和 SiC MOS 会共存: 来源：内容来自摩尔芯闻综合，谢谢。近日，华润微发布了一份投资者关系记录表，在记录中有投资者问到，公司将来在 IGBT、SiC MOS 产品领域投入的资源力度？华润微回应说：“我们认为未来 IGBT 和 SiC MOS 会共存，在 ...; 分类: 联盟动态 2022-1-19 11:24

氮化镓技术概况: 来源：芯片工艺技术; 分类: 联盟动态 2022-1-19 11:23

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