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联盟动态

II-VI和Sumitomo合作开发150mm GaN-on-SiC HEMT: 新闻播报美国宾夕法尼亚州Saxonburg的工程材料公司II-VI Inc宣布与住友电工株式会社的子公司日本住友电器设备创新公司（SEDI）展开战略合作，建立垂直整合的150mm晶圆制造平台，用于制造下一代5G无线网络的碳化硅基 ...; 2018-11-1 09:00

TI推出即用型600V GaN FET功率级，该系列可支持10kW的应用条件: 总部位于达拉斯的德州仪器公司（TI）推出了即用型600V氮化镓（50mΩ和70mΩ功率级）LMG341x系列，该系列可支持10kW的应用条件。该公司表示，与在AC / DC电源、机器人、可再生能源、电网基础设施、电信和个人电子应用 ...; 2018-10-31 10:04

科技部发布5个6G项目！: 来源：5G; 2018-10-31 09:31

大面积碳化硅紫外可见盲雪崩光电二极管: 河北半导体研究所报道了一种大面积800μm直径的4H-多型碳化硅（SiC）紫外（UV）雪崩光电二极管（APD），其具有高增益（106），高量子效率（81.5％）和低暗电流强度，紫外/可见光抑制比高达103。在本研究中，第一次使 ...; 2018-10-30 08:46

北大、清华联手！第三代半导体！: 来源：半导体行业联盟2018年10月18日，由北京大学作为牵头单位，联合清华大学、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所等14家单位共同承担的 “氮化物半导体新结构材料和新功能器件研究”项目启动会在北京举行。（ ...; 2018-10-29 10:00

SEMI中国HB-LED标准技术委员会2018秋季会议在南昌顺利召开: 由SEMI中国主办、中微半导体承办、万机仪器赞助支持的SEMI中国HB-LED标准技术委员会2018年度秋季会议10月24日在江西南昌香格里拉大酒店顺利举办。来自三安光电、华灿光电、兆驰半导体、乾照光电、晶能光电、中微半导 ...; 2018-10-29 09:57

典型GaN射频器件的工艺流程: 来源：材料深一度导读GaN射频器件在基站、国防等领域获得广泛应用，那么GaN射频器件是如何制作的呢？本期，1°姐将和大家一起来一探究竟。典型的GaN射频器件的加工工艺主要包括如下环节：外延生长-器件隔离-欧姆接触 ...; 2018-10-25 09:10

郝跃院士：宽禁带与超宽禁带半导体器件新进展: 来源：半导体行业资讯日前，在纪念集成电路发明60周年学术会议上，中科院院士、国家自然科学基金委员会信息科学部主任、西安电子科技大学教授郝跃院士做了题为《宽禁带与超宽禁带半导体器件新进展》的报告。郝跃院士 ...; 2018-10-23 10:31

什么芯片，让李克强摘下眼镜端详了这么久？: 来源：中国政府网“这可能是目前世界上最先进的芯片之一了。”听到比利时微电子研究中心（IMEC）负责人的介绍，李克强接过递到他手中的一片黑胶唱片大小的晶圆，摘下眼镜，近距离端详了许久，问了四五个问题。当地时 ...; 2018-10-22 09:03

Empower RF推出600-6000MHz 150W GaN系统放大器: Empower RF Systems公司近期推出了一款单波段固态氮化镓（GaN）系统放大器。该款放大器能够整个0.6-6GHz频段内提供至少150W的功率。Model 2223型配有内部DDC，外部前向和反向采样端口，以及带有专用功能的Web服务GUI ...; 2018-10-15 08:36

【联盟动态】宽禁带联盟组织会员单位参观2018年全国双创周北京会场主题展: 2018年10月9日，以“高水平双创，高质量发展”为主题的2018年全国大众创业万众创新活动周北京会场主题展在中关村国家自主创新示范区展示中心正式拉开帷幕。本次主题展重在展示北京在推动大众创业万众创新升级、建设 ...; 2018-10-15 08:35

碳化硅在新兴能源领域应用及现状: 来源：粉体圈随着电动汽车、智能电网、核电、太阳能、风能等能源领域以及航海、航空、航天、高速轨道交通等技术的不断发展，对功率器件的性能提出了更高的要求。目前，基于硅基材料制作的功率器件已经随其结构设计和 ...; 2018-10-12 08:55

开关|美国Macom公司新推出GaAs基单刀双掷开关，针对电子战和宽带通信系统等应用进行了 ...: 来源：大国重器近日，美国Macom公司发布新的MASW-011102 SPDT非反射开关，扩展了其RF开关技术组合。基于Macom的GaAs基单刀双掷（SPDT MASW）系列开关的既定性能标志，新型MASW-011102针对跨越测试和测量、电子战和宽 ...; 2018-10-10 08:37

碳化硅晶圆产能有限，供不应求将成常态？: 相较于硅（Si），采用碳化硅（SiC）基材的元件性能优势十分的显著，尤其是在高压与高频的性能上，然而，这些优势却始终未能转换成市场规模，主要的原因就出在碳化硅晶圆的制造和产能的不顺畅。由于碳化硅需要在2000 ...; 2018-10-10 08:36

如何实现SiC MOSFET的快速短路检测与保护: 来源：英飞凌工业半导体摘要：SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性，在充电桩及太阳能逆变器等高频应用中日益得到重视。因为SiC MOSFET开关频率高达几百K赫兹，门极驱动的设计在应用中就变得格外关键。因为在短路过程 ...; 2018-10-9 08:58

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