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开关|美国Macom公司新推出GaAs基单刀双掷开关,针对电子战和宽带通信系统等应用进行了 ...
开关|美国Macom公司新推出GaAs基单刀双掷开关,针对电子战和宽带通信系统等应用进行了 ...
来源:大国重器近日,美国Macom公司发布新的MASW-011102 SPDT非反射开关,扩展了其RF开关技术组合。基于Macom的GaAs基单刀双掷(SPDT MASW)系列开关的既定性能标志,新型MASW-011102针对跨越测试和测量、电子战和宽 ...
2018-10-10 08:37
碳化硅晶圆产能有限,供不应求将成常态?
碳化硅晶圆产能有限,供不应求将成常态?
相较于硅(Si),采用碳化硅(SiC)基材的元件性能优势十分的显著,尤其是在高压与高频的性能上,然而,这些优势却始终未能转换成市场规模,主要的原因就出在碳化硅晶圆的制造和产能的不顺畅。由于碳化硅需要在2000 ...
2018-10-10 08:36
如何实现SiC MOSFET的快速短路检测与保护
如何实现SiC MOSFET的快速短路检测与保护
来源:英飞凌工业半导体摘要:SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性,在充电桩及太阳能逆变器等高频应用中日益得到重视。因为SiC MOSFET开关频率高达几百K赫兹,门极驱动的设计在应用中就变得格外关键。因为在短路过程 ...
2018-10-9 08:58
化合物|美国StratEdge公司将展示高频高速高效GaN和GaAs封装
来源:大国重器美国StratEdge公司将在2018年10月举办的三个行业研讨会上展示其高频、高速、高效的氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)封装。公司简介美国StratEdge公司是微波、毫米波和高速数字器件的高性能半导体封装制 ...
2018-10-9 08:55
意法半导体为什么看好硅基氮化镓技术?
来源:内容综合自CTIMES等媒体,谢谢。日前,意法半导体和CEA Tech旗下之研究所Leti宣布合作研发硅基氮化镓(GaN)功率切换元件制造技术。该硅基氮化镓功率技术将让意法半导体满足高效能、高功率的应用需求,包括混 ...
2018-10-8 08:51
用于高频和功率电子器件的GaN-SiC混合材料
用于高频和功率电子器件的GaN-SiC混合材料
瑞典的研究人员在碳化硅(SiC)上生长出更薄的IIIA族氮化物结构,以期实现高功率和高频薄层高电子迁移率晶体管(T-HEMT)和其他器件。从图1可以看出,新结构采用高质量的60nm无晶界氮化铝(AlN)成核层,而不是大约1 ...
2018-10-8 08:50
光电|美国莱斯大学研究人员研究二维材料以获得最大光学响应,有利于更好的设计光电器 ...
光电|美国莱斯大学研究人员研究二维材料以获得最大光学响应,有利于更好的设计光电器 ...
来源:大国重器来自美国莱斯大学的研究人员使用定性分析建模和第一性原理计算以确定55种不同2D材料中最大光学响应的理论极限。该研究提出了几种可用于光电应用的超薄反射器和吸收器的二维材料。图为测试的55种材料中 ...
2018-9-30 09:59
合适的SiC MOSFET驱动芯片有多重要?
合适的SiC MOSFET驱动芯片有多重要?
文章来源:英飞凌工业半导体文章作者:张明丹,郑姿清近年来,基于宽禁带材料的器件技术的不断发展,碳化硅器件的实际工程应用,受到了越来越广泛的关注。相较传统的硅基器件,碳化硅MOSFET具有较小的导通电阻以及很 ...
2018-9-30 09:57
5G通信进入实质性商用阶段 集成电路将迎来新一轮发展高潮
5G通信进入实质性商用阶段 集成电路将迎来新一轮发展高潮
来源:凤凰网2014年,国务院印发《国家集成电产业发展推进纲要》,将集成电路产业发展上升为国家战略,从政策上完善落实了一系列支持集成电路产业发展的措施,并设置了分阶段目标,明确了“十三五”期间国内集成电路 ...
2018-9-29 10:12
解读中国半导体产业
解读中国半导体产业
来源:半导体行业观察今年5月,美国针对中国手机制造商中兴通讯实施制裁,禁止该公司从美国公司进口关键零部件,这一事件暴露了中国科技行业的薄弱性——在供应链上高度依赖外国进口,这一问题在半导体行业尤为突出 ...
2018-9-29 10:11
31项半导体国家标准发布
31项半导体国家标准发布
来源:国家标准化管理委员会9月17日,国家市场监管总局、国家标准化管理委员会发布2018年11号公告,批准发布《中小学校普通教师照明设计安装卫生要求》等454项国家标准和6项国家标准修改单。其中,归口单位为全国半 ...
2018-9-28 09:46
SiC芯片市场将迎来大爆发
SiC芯片市场将迎来大爆发
来源:半导体行业观察电动汽车推动了SiC功率半导体市场,但成本仍然是个问题。随着电动汽车以及其他系统的增长,碳化硅(SiC)功率半导体市场正在经历需求的突然激增。但需求也导致市场上基于SiC的器件供应紧张,促 ...
2018-9-27 08:40
意法半导体与Leti共同开发用于功率转换的GaN-on-Si二极管和晶体管架构
意法半导体与Leti共同开发用于功率转换的GaN-on-Si二极管和晶体管架构
日前STMicroelectronics和CEA-Leti正在合作开发用于功率转换的氮化硅 - 硅(GaN-on-Si)技术并试图使其能够实现工业化生产。这将使ST能够达到其高效率,高功率的应用需求,包括用于混合动力和电动汽车(HEV / EV)的 ...
2018-9-27 08:36
军民融合|美空军的GaN技术将转移到BAE系统公司以促进更高性能、更低成本和更广泛的国 ...
军民融合|美空军的GaN技术将转移到BAE系统公司以促进更高性能、更低成本和更广泛的国 ...
来源:大国重器美国空军研究实验室(AFRL)与BAE系统公司签署了一项合作协议,旨在将美国空军开发的氮化镓(GaN)半导体技术转移到位于美国新罕布什尔州纳舒厄的高级微波产品(AMP)中心的技术工作。BAE系统公司将转 ...
2018-9-26 08:49
力特公司推出首款1700V SiC MOSFET
力特公司推出首款1700V SiC MOSFET
Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件,使其在碳化硅(SiC)MOSFET上的产品更加丰富。在产品LSIC1MO170E1000中已经将该公司早前已发布的1200V SiC MOSFET和肖特基二极管运用到其中。Littelfuse公司表示,最终 ...
2018-9-26 08:47

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