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联盟动态

金刚石在 GaN 功率放大器热设计中的应用: 摘要：随着 GaN 功率放大器向小型化、大功率发展，其热耗不断增加，散热问题已成为制约功率器件性能提升的重要因素。金刚石热导率高达 2000 Ｗ/(m·K)，是一种极具竞争力的新型散热材料，可用作大功率器件的封装载片 ...; 2023-3-21 09:23

GeneSiC的“实力派”碳化硅功率器件: 前言路上随处可见的电动汽车、工厂里精密的机械手、草原上永不停歇的风力发电机...，电力进一步成为我们生活必不可缺的重要能源，这些加速能量转换的幕后英雄正是我们熟知的第三代半导体——氮化镓(GaN)和碳化硅（Si ...; 2023-3-21 09:22

【联盟活动】聚焦新一代半导体产业，中关村“火花”活动沙龙成功举办: 新一代半导体材料是产业变革的基石。从以硅为代表的第一代半导体材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体材料，以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体材料，到被视为第四代半导体最佳材料之一的氧化镓材料，半导 ...; 2023-3-21 09:19

GaN良率受限，难以取代IGBT: GaN要快速扩散至各应用领域，仍有层层关卡待突破。氮化镓（GaN）主要是指一种由人工合成的半导体材料，是第三代半导体材料的典型代表，研制微电子器件、光电子器件的新型材料。氮化镓技术及产业链已经初步形成，相 ...; 2023-3-20 09:28

西电张进成团队 | 一种具有叠层钝化结构的高耐压低功耗GaN功率器件: 2023-03-20 09:07GaN 功率器件具有高临界击穿场强、高开关频率、高转换效率等优点，在快充、电源、数据中心、电动汽车等领域具有广阔的应用前景。GaN 功率器件通常制备在基于硅或蓝宝石衬底的 AlGaN/GaN 异质结上。 ...; 2023-3-20 09:26

博世：重点布局碳化硅加大半导体投资: 近年来，以碳化硅为代表的第三代半导体材料凭借着在禁带宽度、击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导率以及抗辐射等关键参数方面的显著优势，进一步满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求，从而成为半导体材 ...; 2023-3-20 09:21

国内首家！厦门大学实现8英寸碳化硅外延生长: 近日，厦门大学成功实现了8英寸（200 mm）碳化硅（SiC）同质外延生长，成为国内首家拥有并实现该项技术的机构。作为第三代半导体的主要代表之一，碳化硅与硅相比，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率 ...; 2023-3-20 09:19

中国功率半导体，开启黄金十年: 随着国内功率半导体厂商对相关产品的持续研发，以及国外巨头的产能不断扩张，功率半导体如今已成为竞争激烈的“红海市场”。功率半导体的功能主要是对电能进行转换，对电路进行控制，改变电子装置中的电压和频率，直 ...; 2023-3-17 10:02

碳化硅市占率剑指30%！英飞凌预计到2027年SiC产能将增加10倍: 3月14日，德国汽车芯片供应商英飞凌举行了“数字低碳、制胜未来”媒体交流会。乘着低碳化、数字化的东风，2022财年英飞凌全球总营收创历史新高，达到142.18亿欧元。利润也攀升至33.78亿欧元，利润率达到23.8%。其中 ...; 2023-3-17 09:55

高压碳化硅 IGBT 器件的电学特性: 摘要借助计算机辅助设计技术(TCAD)仿真并结合基础物理建模，对SiCn和p沟道IGBT器件的电学特性进行比较研究。研究表明，在小电流密度下，n-IGBT电导调制效应较强，并具有较低的通态压降。而在较大的正向偏置电压下，p ...; 2023-3-17 09:25

最新碳化硅器件产能量产情况与下游终端应用进展分析: 随着技术进步，未来碳化硅器件的价格有望持续下降，其行业应用将快速发展。汽车是碳化硅器件的第一大应用市场，当前全球新能源汽车头部厂商正在逐渐采用导电型碳化硅功率器件，新一轮产业机会即将爆发。碳化硅，化学 ...; 2023-3-17 09:16

三菱电机宣布，投资建8吋SiC工厂，产能提高五倍: 三菱电机公司日前宣布，将在截至2026 年 3 月的五年内将之前宣布的投资计划翻一番，达到约 2600 亿日元，主要用于建设新的晶圆厂，以增加碳化硅 (SiC) 功率半导体的生产。根据该计划，三菱电机预计将响应快速增长的 ...; 2023-3-16 09:36

氧化镓晶体生长方法的选择: 两种用于生产β-Ga2O3的最常用技术——提拉法和导模法的优缺点是什么？作者：Jani JESENOVEC和John McCloy，华盛顿州立大学超宽带隙材料，如Ga2O3、AlN和金刚石，具有非常高的本征击穿电场，这使它们成为处理高功率 ...; 2023-3-16 09:28

罗姆确立新技术，更好地激发GaN等高速开关器件性能: 近日，罗姆（ROHM）宣布确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。Source：罗姆近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责 ...; 2023-3-16 09:22

泰科天润 | 碳化硅动态特性测试的最后一道坎：测量点间寄生参数: 　　会议PPT来源：2023新型功率器件参数检测、可靠性及失效分析研讨会高远现任泰科天润应用测试中心总监。中国电工技术学会电力电子专业委员会高级会员及青年工程师工作组委员，第三代半导体产业技术创新战略联盟产 ...; 2023-3-16 09:20

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