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深圳平湖实验室100V GaN功率器件综合性能达行业先进水平: 近日，深圳平湖实验室在100V氮化镓（GaN）功率器件领域取得关键进展，成功研制出高性能100V GaN E-HEMT（增强型高电子迁移率晶体管）器件与封装工程样品，关键性能达到行业先进水平，可为数据中心二次电源、人形机器 ...; 2025-12-26 10:18

重磅突破！瀚天天成12吋SiC外延全球首发: SiC技术重磅突破！瀚天天成全球首发12英寸碳化硅外延晶片。相较于当前主流的 150mm（6 英寸）碳化硅外延晶片，以及尚处产业化推进阶段的 200mm（8 英寸）产品，300mm（12 英寸）晶片凭借直径的显著扩容，在相同生产 ...; 2025-12-25 09:48

天域半导体新基地通线，年产能冲80万片！: 12月19日，国内碳化硅外延领域的领军企业——广东天域半导体股份有限公司（下称“天域半导体”）在其东莞松山湖生态园新生产基地举行通线仪式。通线仪式上，天域半导体董事长李锡光介绍，通线的碳化硅外延新产线投产 ...; 2025-12-23 09:27

深圳平湖实验室高压650V GaN功率器件综合性能达国际先进水平: 近日，深圳平湖实验室在高压650V氮化镓（GaN）功率器件领域取得关键进展，成功研制出高性能高压 GaN E-HEMT（增强型高电子迁移率晶体管）器件，关键性能达到国际先进水平，可为数据中心一次电源、工业机器人、车载OB ...; 2025-12-22 10:02

天域半导体敲钟上市，“SiC外延第一股”诞生: 12月5日，随着开市锣声响起，天域半导体正式在港交所挂牌上市。此次成功登陆港股，不仅标志着天域半导体的上市进程已正式收官，也意味着中国碳化硅外延环节迎来首家上市公司——“SiC外延第一股”由此诞生。港股上市 ...; 2025-12-9 09:37

从技术突破到产业落地：唐为华教授详解苏州镓和氧化镓体系化布局与未来规划: 在第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2025）上，氧化镓成为业内关注的核心方向之一。苏州镓和半导体有限公司董事长唐为华教授以"氧化镓日盲紫外光电器件及应用"为题带来精彩报告。同时在会议期间围绕 ...; 2025-12-8 10:21

深圳平湖实验室在低压（15V-40V）GaN 功率器件领域取得突破性进展，器件综合性能达国 ...: 近日，深圳平湖实验室在低压（15V-40V）氮化镓（GaN）功率器件领域取得突破性进展，成功研制出高性能低压 GaN E-HEMT（增强型高电子迁移率晶体管）器件，关键性能达到国际先进水平，为高效、高功率密度计算芯片供电 ...; 2025-12-8 10:14

晟光硅研与沃尔德半导体达成战略合作共拓金刚石材料产业化新赛道: 2025年11月25日，第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2025）在河南郑州盛大召开。会议通过国际青年论坛，主题演讲，海报展示以及专业展区等多元化的活动形式，与来自全球产业链上下游的领军企业代表、顶尖 ...; 2025-12-8 10:06

深圳平湖实验室万玉喜主任、张道华院士团队：原子级粗糙度对垂直β-Ga₂O₃ ...: 由深圳平湖实验室的研究团队在学术会议 2025 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia (WiPDA Asia) 发布了一篇名为 Effect of Atomic-Level Roughness on Vertical β-Ga2O3 Schottk ...; 2025-10-21 09:24

镓仁半导体首发VB法生长最厚6英寸（010）面氧化镓晶体: 2025年10月，杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”)在晶体生长技术上再次取得了突破性成果，基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备，采用垂直布里奇曼法（VB法）成功实现了6英寸（010）面氧化镓晶体生长， ...; 2025-10-16 09:43

镓仁半导体成功实现高质量6英寸氧化镓同质外延生长: 2025年9月，杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”)正式发布，公司在外延技术上取得了重大突破，成功实现了高质量6英寸氧化镓同质外延生长。这一突破，在镓仁半导体发展过程中具有里程碑意义。外延片检测结 ...; 2025-10-13 09:15

欧洲4家SiC巨头导入新标准，天科合达率先跟进: 近年来，为应对严峻的气候挑战并实现碳中和目标，欧盟通过立法与市场机制，逐步将碳足迹透明度从企业社会责任提升为硬性合规要求，这可能会对碳化硅产业的“绿色化”产生一定的影响。据了解，面对这一趋势，英飞凌、 ...; 2025-10-9 09:49

攻克大尺寸金刚石精密分片技术瓶颈，晟光硅研研发成果达国际领先水平: 金刚石，作为自然界中硬度最高、热导率极佳、宽禁带半导体性能优异的终极材料，在高端半导体器件、大功率激光器、高精度切削工具、尖端光学窗口及下一代高功率电子设备中具有不可替代的应用前景。而传统激光加工技术 ...; 2025-9-30 09:48

进化半导体制备40μm晶圆级氧化镓同质厚外延: 2025年9月，进化半导体（深圳）有限公司的氧化镓技术布局取得阶段性进展。进化半导体制备的氧化镓厚膜同质外延片，有如下特色：1、使用自产氧化镓衬底，取自进化半导体独特的“无铱工艺”氧化镓晶体，晶片尺寸为2英 ...; 2025-9-30 09:29

天科合达：大尺寸衬底与外延的根本挑战: 近日，PCIM Asia 2025 功率半导体新锐峰会在上海召开，天科合达以《大尺寸导电型碳化硅衬底和外延片研究进展》为主题，系统展示了其在大尺寸衬底与外延最新进展。在全球 SiC 衬底市场全面转向 8 英寸量产的同时，12 ...; 2025-9-30 09:25

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