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碳化硅（SiC）功率器件篇之SiC-MOSFET: 1. 器件结构和特征Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。IGBT通过电导率调制，向漂移层内注入作为少 ...; 分类: 联盟动态 2021-9-17 09:16

快充仅是第三代半导体应用“磨刀石”: 众所周知，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体，相较传统的硅材料半导体，具备许多非常优异的特性，如高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率以及抗强辐射能力等。前一个十年，第三代半导体材料已经 ...; 分类: 联盟动态 2021-9-17 09:16

集微咨询：国内外SiC衬底发展现状浅析: 来源：爱集微集微咨询认为，新能源汽车市场对我国SiC产业的有效拉动成为行业各方关注焦点，国内新能源汽车SiC功率半导体市场也一定程度上引领全球SiC市场发展。集微咨询（JW insights）认为：- SiC产业链分为上中下 ...; 分类: 联盟动态 2021-9-17 09:15

Yole：汽车半导体格局或被重塑: 据Yole披露，在诸多因素的推动下，汽车行业正在正在经历戏剧性的变化。由以下因素导致的芯片短缺许多活动始于 2020 年 11 月，并且可能持续到 2022 年下半年之后。直接后果是芯片涨价高达 20% 和中断在供应链中。202 ...; 分类: 联盟动态 2021-9-16 10:42

氮化铝拍了拍钪 | 第三代半导体华丽转身: 2021年8月底，与碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）齐名的氮化铝（AlN）掺钪（Sc，scandium）研究项目获得了德国联邦教育和研究部（BMBF）发起的“节能信息和通信技术电子学（GreenICT）”创新竞赛第二名。研发项目是弗劳 ...; 分类: 联盟动态 2021-9-16 10:41

第三代半导体辐射探测器研究进展: 以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、金刚石等为代表的第三代半导体具有大的禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子速率、高热导率以及具有高的位移阈能，耐高温、耐辐照能力，在核装置运行监测、空间探测、高能粒子物理探测 ...; 分类: 联盟动态 2021-9-16 10:41

Yole：汽车半导体格局或被重塑: 据Yole披露，在诸多因素的推动下，汽车行业正在正在经历戏剧性的变化。由以下因素导致的芯片短缺许多活动始于 2020 年 11 月，并且可能持续到 2022 年下半年之后。直接后果是芯片涨价高达 20% 和中断在供应链中。202 ...; 分类: 联盟动态 2021-9-16 10:24

氮化铝拍了拍钪 | 第三代半导体华丽转身: 2021年8月底，与碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）齐名的氮化铝（AlN）掺钪（Sc，scandium）研究项目获得了德国联邦教育和研究部（BMBF）发起的“节能信息和通信技术电子学（GreenICT）”创新竞赛第二名。研发项目是弗劳 ...; 分类: 联盟动态 2021-9-16 10:24

第三代半导体辐射探测器研究进展: 以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、金刚石等为代表的第三代半导体具有大的禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子速率、高热导率以及具有高的位移阈能，耐高温、耐辐照能力，在核装置运行监测、空间探测、高能粒子物理探测 ...; 分类: 联盟动态 2021-9-16 10:23

6.5亿大订单！宝马汽车要用氮化镓了: 据国外汽车媒体报道，昨天（9月13日），氮化镓也有大订单——GaN Systems与宝马签订了产能协议，为宝马汽车提供高性能GaN功率晶体管，合作金额高达1亿美元（近6.5亿人民币）。GaN Systems的CEO Jim Witham说，“我们 ...; 分类: 联盟动态 2021-9-15 09:40

斯达半导IGBT/SiC的配套与定点: 新能源是未来主要发力方向。9月13日，斯达半导体公司召开2021年半年度业绩说明会。会上其董事长沈华指出，公司160kw以上的产品已经大批量装车并运行；国内多个主流品牌均在使用公司的IGBT模块。另外，SiC方面，2020 ...; 分类: 联盟动态 2021-9-15 09:39

罗姆与昭和电工强强联手，碳化硅热度高涨: 9月13日，昭和电工宣布与ROHM签订了功率半导体用SiC（碳化硅）外延片的多年长期供应合同。本次签订的合同是向制造SiC功率半导体的ROHM供应昭和电工制造的SiC外延片。碳化硅因在新能源汽车、光伏发电、智能电网、消费 ...; 分类: 联盟动态 2021-9-15 09:18

上海光机所在金刚石异质外延方面取得进展: 近日，中国科学院上海光学精密机械研究所微纳光电子功能材料实验室研究团队在金刚石异质外延研究方面取得新进展，相关研究成果发表在Materials Chemistry and Physics《材料化学与物理》上。在所有已知材料中，金刚 ...; 分类: 联盟动态 2021-9-15 09:06

化合物半导体材料深度报告：3年规模翻7倍，统治 5G、IoT时代（下）: 03.GaN：5G器件关键材料氮化镓（GaN）是由氮和镓组成的一种半导体材料，因为其禁带宽度大于 2.2eV，故被称为宽禁带半导体材料。GaN 材料作为微波功率晶体管的优良材料与蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半 ...; 分类: 联盟动态 2021-9-14 11:50

化合物半导体材料深度报告：3年规模翻7倍，统治 5G、IoT时代（上）: 化合物半导体， 5G、IoT时代的半导体C位材料。随着 5G、IoT 物联网时代的来临，以砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的化合物半导体市场有望快速崛起。其中，GaAs 是手机 PA和 Switch 的主流材料， ...; 分类: 联盟动态 2021-9-14 11:47

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