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功率密度再翻倍！新GaN FET效率高达99%
德州仪器(TI)日前面向汽车和工业应用推出新一代650V和600V氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)。与现有硅基或碳化硅解决方案相比，新的GaN FET系列采用快速切换的2.2MHz集成栅极驱动器，可提供两倍的功率密度和高达99%的效 ...
分类:    2020-11-18 09:15
SiC助力功率半导体器件的应用结温升高，将大大改变电力系统的设计格局
YoleDevelopment 的市场调查报告表明，自硅功率半导体器件诞生以来，应用的需求一直推动着结温升高，目前已达到150℃。随着第三代宽禁带半导体器件（如SiC）出现以及日趋成熟和全面商业化普及，其独特的耐高温性能正 ...
分类:    2020-11-18 09:13
​对于三种碳化硅制备方法的浅析
目前碳化硅单晶的制备方法主要有：物理气相传输法（PVT）；顶部籽晶溶液生长法（TSSG）；高温化学气相沉积法（HT-CVD）。其中TSSG法生长晶体尺寸较小目前仅用于实验室生长，商业化的技术路线主要是PVT和HT-CVD，与HT ...
分类:    2020-11-17 09:28
SiC的产业化之路
第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗元素（Ge）半导体材料，应用极为普遍，包括集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应用； ...
分类:    2020-11-17 09:26
英飞凌签约GT Advanced Technologies，扩大碳化硅供应
11月13日，英飞凌科技股份公司与GT Advanced Technologies签署碳化硅晶棒供货协议，合同预期五年。碳化硅是功率半导体的基础材料，可用于打造高效耐用、高性价比的系统。通过这份供货合同，英飞凌将进一步确保满足其 ...
分类:    2020-11-17 09:23
泰科天润：IDM模式加速国产第三代半导体发展
深圳特区成立40周年之际，首届慕尼黑华南电子展在深圳国际会展中心举办。期间芯师爷专访了全球电子产业链的近20家领先企业、潜力企业的领袖及高管，特别推出“慕名而来·圳好”专题报道，与众多业内人士共同探讨全球 ...
分类:    2020-11-13 15:00
长八英寸碳化硅为什么会比两英寸难
碳化硅单晶生长，尺寸要求会不断的提升，从四英寸到六英寸，再到之后的八英寸。这个增大的过程，叫做化工过程放大。化工的核心理论是“三传一反”：动量传递（流体输送、过滤、沉降、固体流态化等，遵循流体动力学基 ...
分类:    2020-11-13 14:57
【联盟动态】宽禁带联盟举办“高精尖”第三代半导体产业技能高级培训班
培训班合影2020年11月5日至11月8日，“高精尖”第三代半导体产业技能高级培训班于北京海淀区蓝海智谷召开，本次培训班由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）主办，特别邀请八位老师授课， ...
分类:    2020-11-10 14:21
SiC|美国纽约州立大学理工学院创下4H-SiC MOSFET性能新纪录
美国纽约州立大学理工学院（SUNY Poly）在4H-碳化硅（SiC）横向金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的性能创下了新的纪录。0.3μm沟道、2.5μm栅漏间距实现了7.7mΩ-cm2导通电阻和450V击穿电压。研究成果发表在I ...
分类:    2020-11-10 13:12
SiC将会是分立器件和模块共存的市场
文章来源：21中国电子网作者：付斌随着半导体材料步入第三代半导体时代，行业巨头在SiC/GaN器件和模块上早已布局多年。事实上，从特性上来讲，SiC和GaN的优势是互补的，应用覆盖了电动汽车(EV)、新能源、光伏逆变器 ...
分类:    2020-11-3 09:27
SiC的黄金时代：25 年创新历程（下）
SiC 二极管和晶体管的推出对电力电子行业产生了重大影响。这为实现更快的开关频率、更高的效率以及卓越的功率密度开启了大门。而所有这些都是有效电力电子系统持续发展的关键。这些特性让 SiC 电力电子可以支持各种 ...
分类:    2020-11-3 09:21
SiC的黄金时代：25 年创新历程（上）
在过去的25 年时间里，Cree 取得了诸多成功，包括实现更大尺寸的 SiC 衬底并消除其微管，以及将 SiC 二极管、SiC MOSFET 和 GaN HEMT 推向市场。CREE 联合创始人 JOHN PALMOUR 和 JOHN EDMOND碳化硅 (SiC) 的历史可 ...
分类:    2020-11-3 09:20
SiC材料的进击路 从国产工规级碳化硅(SiC)MOSFET的发布谈起
据东方卫视报道，我国首款基于6英寸晶圆通过JEDEC(暨工规级)认证的1200V 80mohm碳化硅（SiC）MOSFET产品在上海正式发布。文︱苏岚图︱网络9月4日，一则 “我国将把大力发展第三代半导体产业写入‘十四五’规划”的消 ...
分类:    2020-11-2 17:10
GeneSiC发布6.5kV SiC MOSFET产品
芯片在牵引、脉冲电源和智能电网基础设施等应用中提供性能、效率和可靠性。美国SiC功率半导体制造商GeneSiC Semiconductor日前宣布，6.5kV SiC MOSFET裸芯片——G2R300MT65-CAL和G2R325MS65-CAL即将上市。基于该技术 ...
分类:    2020-11-2 17:08
联合碳化硅（UnitedSiC）扩大肖特基二极管产品组合
碳化硅（SiC）功率半导体的领先制造商美商联合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）10月26日宣布，将推出四种新型结势垒肖特基（JBS）二极管，以补充FET和JFET晶体管产品。新推出的UJ3D 1200V和1700V器件具有业界更佳的 ...
分类:    2020-10-30 10:29
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