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下级分类:  公告通知|联盟动态
三安集成电路扩展其宽禁带功率半导体的代工平台业务
国内最早进行6英寸化合物半导体晶圆制造公司三安集成电路有限公司日前宣布,将在全球范围内为650V和1200V碳化硅(SiC)器件以及650V氮化镓(GaN)功率高电子迁移率晶体管(HEMTs)提供宽禁带电力电子器件代工服务。三安集 ...
分类:    2020-4-24 08:56
Cree | Wolfspeed 650V系列碳化硅MOSFET,满足当今高功率应用要求
Cree | Wolfspeed 650V系列碳化硅MOSFET,满足当今高功率应用要求
Wolfspeed 新型 650V 系列碳化硅 MOSFET 为高效率和高功率密度解决方案提供业界领先的低导通电阻和开关损耗优化设计,满足当今高功率应用的要求Cree 旗下公司Wolfspeed于近期宣布推出新型15-mΩ和60-mΩ 650V碳化硅 ...
分类:    2020-4-23 09:05
英飞凌SiC模块和芯片技术为Sungrow的250kW光伏逆变器提供优质解决方案
阳光电源(Sungrow)在国际光伏欧洲展(IntersolarEurope2019)上首次推出了可以提供SG250HX光伏(PV)串式逆变器。该款逆变器具有250kW的高容量,并配备了英飞凌科技公司采用最新TRENCHSTOP和 CoolSiC碳化硅芯片技术 ...
分类:    2020-4-22 09:09
Cree凭啥成为碳化硅(SiC)龙头?
Cree凭啥成为碳化硅(SiC)龙头?
SiC作为材料在19世纪就被发现了,随后的一个世纪里,SiC由于其硬度高而广泛在机械加工和冶炼中得到运用,主要用在功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金原料这几个领域。还有就是作为一种珠宝——莫桑钻——而推广。虽 ...
分类:    2020-4-22 08:58
“新国防”和第三代半导体
“新国防”和第三代半导体
全文要点:1.因为更宽禁带宽度,更高载流子漂移速度和更好散热等优越性能,相比GaAs器件,GaN基射频器件可以同时实现更高输出功率、更高功率密度和更小的体积。2.雷达是“三军之眼,国之重器”。雷神公司为美国海军 ...
分类:    2020-4-21 09:22
国内第三代半导体产业一季度重要事件梳理
国内第三代半导体产业一季度重要事件梳理
分类:    2020-4-21 09:18
GaN产品|美国Empower RF Systems公司推出10kW脉冲式S波段GaN-on-SiC固态放大器,用于 ...
GaN产品|美国Empower RF Systems公司推出10kW脉冲式S波段GaN-on-SiC固态放大器,用于 ...
美国Empower RF Systems公司推出了一款紧凑型固态GaN-on-SiC放大器,可提供10kW的峰值脉冲功率(占空比6%),型号为2213,工作频率2.9GHz-3.5GHz,工作电压180-260VAC,增益70dB,功耗2800W。2213基于Empower公司成 ...
分类:    2020-4-20 13:37
4月12日起进京人员住酒店需持核酸检测健康证明
【4月12日起进京人员住酒店需持核酸检测健康证明】4月10日,北京市新冠肺炎疫情防控工作新闻发布会召开,北京市文化和旅游局一级巡视员周卫民介绍,4月12日起,进京人员入住酒店,应持有7日内经当地核酸检测呈阴性的 ...
分类:    2020-4-17 08:54
碳化硅(SiC)正红!汉磊、 嘉晶抢IDM厂大单
碳化硅(SiC)正红!汉磊、 嘉晶抢IDM厂大单
图片来源:拍信图库由于5G基建需要具备耐大电流及高功率的功率元件,因此碳化硅(SiC)及高功率集成电路磊晶开始被市场扩大采用。法人表示,汉磊投控(3707)旗下晶圆代工厂汉磊科、磊晶硅晶圆厂嘉晶(3016)在SiC市 ...
分类:    2020-4-17 08:51
【联盟动态】APCSCRM 2019会议特刊(Journal of Crystal Growth)已在线发表!
【联盟动态】APCSCRM 2019会议特刊(Journal of Crystal Growth)已在线发表!
APCSCRM 2019会议特刊(Journal of Crystal Growth)已成功在线发表!第二届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2019)于2019年7月18日在北京成功召开。本届会议共吸引了十余个国家和地区的550余人参加,共作报 ...
分类:    2020-4-16 09:01
深度长文 | 半导体未来浪潮
深度长文 | 半导体未来浪潮
核心观点一、新格局:全球半导体行业不断演化由于无人驾驶、人工智能、5G和物联网等新兴技术的发展,未来十年全球半导体行业有望持续稳定增长。其中,汽车电子和工业电子将领跑。亚太市场需求不减,东亚地区(中国大 ...
分类:    2020-4-15 10:01
押注碳化硅和氮化镓材料发展,IEEE发布宽带隙半导体技术路线图
押注碳化硅和氮化镓材料发展,IEEE发布宽带隙半导体技术路线图
图片来源:拍信图库近日,为了促进宽带隙(WBG)半导体技术的发展,IEEE电力电子学会(PELS)发布了宽带隙功率半导体(ITRW)的国际技术路线图。该路线图确定了宽带隙技术发展的关键趋势、设计挑战、潜在应用领域和 ...
分类:    2020-4-15 09:24
一文读懂特斯拉Model 3所用半导体产品图谱
一文读懂特斯拉Model 3所用半导体产品图谱
这些年来,自动驾驶、车联网、C-V2X、新能源汽车等名词,已经越来越变得耳熟能详,传统的汽车已经变得越来越像一台安装在轮子上的超级计算机,智能化、网联化、电动化的发展趋势十分明显。在此过程中,半导体技术发 ...
分类:    2020-4-14 09:15
当前碳化硅半导体器件相关材料特征问题探讨
碳化硅半导体器件的迅速发展,给相关研究以及产业领域提出了很多需要解决的问题,产生了许多不确定性因素,但也带来了新的产业和机遇。本文主要从材料的传统机械特性做一个介绍性的讨论。一、产业现状综述对于迅速发 ...
分类:    2020-4-14 09:01
SiC和GaN的区别及WBG器件市场发展趋势
SiC和GaN的区别及WBG器件市场发展趋势
近年来,研究人员和技术人员一直在共同努力,寻找优化器件能效和提高器件性能的解决方案。尽管微控制器在数码设备上已经达到了非凡的节能水平,但是在功率器件中使用新材料也取得了最佳效果。不久前,人们认为SiC和G ...
分类:    2020-4-13 10:27

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