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全球首款n通道金刚石MOSFET问世: 金刚石CMOS集成电路发展迈出了一步。NIMS 的一个研究小组开发出了世界上第一个 n 通道金刚石 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这一突破标志着实现基于金刚石的 CMOS（互补金属氧化物半导体）集成电路迈出了 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-11 09:31

成功举办《金刚石：如何突破性能极限，打开产业新蓝海？》宽禁带半导体大讲堂技术交流 ...: 4月9日，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、机械工业出版社、中国电工技术学会科技传播与出版专委会主办的“宽禁带半导体大讲堂第四期——金刚石：如何突破性能极限，打开产业新蓝海？”在机械工业出版社融媒体 ...; 分类: 联盟动态 2025-4-11 09:27

金刚石抛光技术研究进展: 金刚石以优异的性能在力学、光学、热学和电子学（如半导体）等领域发挥着重要作用。在半导体、散热等领域,仅2023年金刚石的市场规模达到数亿美元的增幅,且火热程度仍将持续。然而，金刚石表面质量会影响其在这些领 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-10 09:36

五菱混动汽车正式采用碳化硅，供应商是谁？: 昨天，上汽通用五菱举办了“2025技术进化日”上，并隆重发布了基于碳化硅的电驱系统。众所周知，全球新能源汽车两大巨头特斯拉和比亚迪已经大规模采用了碳化硅电驱系统，作为全球新能源汽车累计销量前三的车企，五菱 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-10 09:33

博世成立合资企业，瞄准芯片级金刚石量子传感器: 近日，欧洲汽车芯片及零部件大厂博世宣布，将其量子传感器初创公司分拆出来，与合成金刚石制造商 Element Six 成立一家合资企业，即博世量子传感（Bosch Quantum Sensing）公司。据介绍，该合资企业总部位于德国路德 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-10 09:31

第四代半导体，破晓时刻: 3nm，是半导体市场的 “热搜关键词”。光刻机，是众人争抢的 “香饽饽”。第三代半导体，一出现就在资本市场掀起波澜。而现在，这类技术的突破，给半导体赛道开启新一轮热潮。01全球首颗8英寸氧化镓单晶，中国造！今 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-10 09:25

士兰微 | SiC芯片突围战：第四代技术送样，8英寸产线加速布局: 4月8日午间，士兰微披露公司碳化硅项目的最新进展。经过加快建设，第Ⅱ代SiC芯片生产线产能正在释放。同时，第Ⅳ代SiC芯片与模块已送样，且预计今年将上量。士兰微自主研发的第Ⅳ代平面栅SiC-MOSFET芯片已送样多家客 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-10 09:24

破局2025：宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业发展高峰论坛: · 会议背景·回顾2024年，宽禁带半导体产业在挑战与机遇并存的道路上取得了显著进展。在新能源汽车，光储充，工业控制，大功率电源等行业，人们对宽禁带半导体器件的接受度大幅提升。从成本角度看，随着技术的不断 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-10 09:19

深圳市尚鼎芯|又一家功率半导体厂商开启IPO: 4月3日，深圳市尚鼎芯科技股份有限公司（以下简称“尚鼎芯”）正式向港交所递交了上市申请，这一举措标志着尚鼎芯在资本市场迈出了重要一步，旨在通过上市进一步提升公司的市场影响力和资金实力。公开资料显示，尚鼎 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-8 09:13

双向GaN突破3000V！: 近日，《应用物理快报》刊登了一篇名为《蓝宝石基3kV单芯片双向GaN HEMT》的文章，其作者及研究团队来自于威斯康星大学麦迪逊分校，透露了单片双向GaN晶体管的最新研究进展。该研究团队表示，他们通过优化欧姆接触、 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-8 09:12

GaN临界点将至，汽车/工业/航天领域应用多点开花: 随着外延技术迭代与成本曲线下探，氮化镓的应用版图已覆盖消费电子、数据中心、新能源汽车等高成长性赛道。EPC、英飞凌等头部厂商一致认为——GaN技术已迎来规模化爆发的临界点本文汇总了最新的具体案例分享，展示Ga ...; 分类: 新闻通知 2025-4-8 09:10

基于SiC的雷达微波放大器高频电源设计: 文章来源：舰船电子工程作者：李楠（中航工业雷华电子技术研究所无锡 214100）摘要：论文介绍了一种利用 3.3 kV 碳化硅（SiC）MOSFET 和肖特基二极管实现 22 Vdc 至 2.5 kVdc 宽电压的 1 kW 电源方案。电源为舰 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-8 09:07

论文推介丨氧化镓同质外延及二维“台阶流”生长研究: 如何同质外延生长出具有原子级平整的氧化镓(Ga2O3）单晶薄膜，是制备高性能Ga2O3基功率电子器件或紫外光电器件的基础。由于通用衬底存在非理想整数指数表面，二维“台阶流”生长被广泛认为是实现上述高质量单晶薄膜 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-7 09:51

中科大微电子学院在GaN器件辐照效应研究方向取得重要进展: 近日，中国科大微电子学院杨树教授和龙世兵教授课题组在GaN器件辐照效应研究方向取得新进展，共同研制的垂直型GaN功率电子器件在高能质子辐照下具有1700V以上的阻断电压及电导调制能力。相关研究成果以“kV-Class Ve ...; 分类: 新闻通知 2025-4-7 09:45

中关村“火花”活动之“设备-材料-制造-工艺”半导体产业链协同创新沙龙顺利举办: 在全球半导体产业竞争加剧与技术创新迭代的背景下，材料与设备作为产业链的“基石”环节，正面临从第三代半导体（碳化硅、氮化镓）向第四代（氧化镓、金刚石）的跨越。技术革新与产业应用呈现双向驱动趋势：材料端加 ...; 分类: 联盟动态 2025-4-7 09:37

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