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联盟动态

忱芯科技全自动化SiC功率模块动态测试系统交付使用: 随着SiC 性能优势不断放大，被应用到如电动汽车(EV) 的马达驱动器、电动汽车快速充电桩、车载和非车载充电器、风能和太阳能逆变器和工控电源等功率更高、电压更高的设计中越来越频繁。据悉，当传统硅基的功率系统设 ...; 2022-4-18 17:11

氮化镓充电器为何尚未“人手一充”？: 4月11日，vivo发布折叠屏旗舰X Fold，标配双Type-C接口氮化镓充电器，再次引发消费市场对于氮化镓的关注。2020年2月，小米发布了65W的氮化镓充电器，小米商城的预约人数一度超过十万。如此热度下，主打既能充手机又 ...; 2022-4-18 17:10

功率半导体持续进化：碳化硅材料快速增长，汽车缺芯问题存在误解: 经济观察网记者李靖恒作为新能源汽车、光伏等产品的关键部件，近年来功率半导体的重要性在明显提高。功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，通过利用半导体的单向导电性实现电源开关和电力转换。大部分 ...; 2022-4-18 17:10

又一车企采用SiC？5月上市: 最近，又有新车型采用碳化硅技术了——日本丰田宣布，他们搭载碳化硅OBC的车型将于今年5月上市。如今，OBC采用碳化硅的势头正在全球蔓延，今天“三代半风向”就给大家汇总一下有哪些OBC企业正在积极导入碳化硅。丰田 ...; 2022-4-15 11:07

SiC还是IGBT，新能源汽车如何选？: 新品介绍2021年，英飞凌推出了一款新的HybridPACK™ Drive CoolSiC™功率模块。这是一款具有 1200V 阻断电压的全桥模块，针对电动汽车中的牵引逆变器进行了优化。该产品使得具有更长续航里程和更低电池成 ...; 2022-4-14 11:37

国产车规级触控MCU方案助力汽车智能按键应用: 本文将重点追踪报道车规MCU中的触控类芯片和方案。市场调查机构Omdia近期报告显示，全球半导体市场增长幅度将由2021年的21.1%降至2022年的4.2%，增速趋于平缓。但汽车半导体市场仍将出现大幅增长，市场规模将由2021 ...; 2022-4-14 11:36

中车时代公告扩产6英寸碳化硅芯片产能: 产业动态：4月12日，时代电气发布公告称子公司中车时代半导体拟4.62亿元进行碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目。工艺、产能同步调整2013年中车开始着手建设碳化硅项目，当时拟投资2.9亿元组建4～6英寸SiC芯片模 ...; 2022-4-14 11:34

清纯半导体推出首款国产15V驱动SiC Mosfet，已通过车规级测试: 使国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。36氪获悉，国内头部碳化硅器件研发企业「清纯半导体」，近日发布国内首款15V驱动的1200V SiC Mosfet器件平台产品。它填补了国内15V驱动SiC Mosfet产品的空白，使国内SiC功率 ...; 2022-4-13 13:43

SiC到底为什么那么“神”？: 相比硅基功率半导体，SiC（碳化硅）功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在显著优势。随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后，更多的企业也开始落地碳化硅产品。SiC那么“神乎其神”，究竟是怎么造出来 ...; 2022-4-13 13:42

SiC功率器件的鲁棒性和可靠性问题: 以下文章来源于芯TIP ，作者Peter Friedrichs*Vol.17报告主题：SiC功率器件的鲁棒性和可靠性问题报告作者：Peter Friedrichs（Infineon Technologies AG）报告内容包含：（具体内容详见下方全部报告内容）SiC 可靠性 ...; 2022-4-13 13:41

8英寸转6英寸或成新趋势，设备国产化有望借此东风: 上世纪80年代，6英寸晶圆的横空出世，代表了半导体产业正式迈向成熟商业化，而后在长达近10年的时间里，6英寸作为晶圆制造最高规格，被争相追逐。芯观点──聚焦国内外产业大事件，汇聚中外名人专家观点，剖析行业发 ...; 2022-4-13 13:33

SiC 市场高速增长: 据国际知名分析机构 Yole 在早前的一份报告中介绍，受汽车应用的强劲推动，尤其是在 EV 主逆变器方面的需求，SiC 市场将迎来高速增长。报告指出，继特斯拉采用 SiC 后，2020 年和 2021 年又有多款新发布的 EV 使用Si ...; 2022-4-12 11:00

1200V！又有车规级沟槽型SiC MOSFET: 近日，韩国一家半导体企业宣布，他们也开发了1200V沟槽型SiC MOSFET器件，实现了车规级产品的本土化制造。除了罗姆和英飞凌，国内外还有哪些企业和机构在开发沟槽型SiC MOSFET？今天，“三代半风向”给大家盘点一下 ...; 2022-4-12 11:00

OBC典型拓扑中SiC mosfet不同封装的性能分析: 在OBC拓扑中，传统的mosfet不能让开关损耗和效率得到最优化，而SiC mosfet可以通过高频化让OBC拓扑的开关损耗减小，效率得以优化，体积和综合成本得以减小。本文通过侧重对器件封装分析，讨论一下封装对OBC电路的性 ...; 2022-4-12 10:59

国产碳化硅产品将在储能变流器产业应用市场实现“快跑”: 储能变流器市场爆发在全球“碳达峰、碳中和”的目标下，风电、光伏发电将快速发展，储能是解决风电、光伏发电不稳定性、间歇性，增强能源系统供应安全性、灵活性的重要手段。随着“十四五”风光装机容量的扩大，各地 ...; 2022-4-11 14:30

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