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SiC模块封装探讨及市场预测（下）: 碳化硅（SiC）器件SiC器件即可作为独立器件提供也可在需要大功率电平时置于功率模块中。目前的市场主流产品为独立的功率器件，不过模块的市场份额正在迅速增长。▼国联万众二极管各种封装外观点击图片查看更多信息Si ...; 分类: 联盟动态 2021-2-10 09:08

SiC模块封装探讨及市场预测（上）: 本文内容由第三代半导体联合创新孵化中心（ID：casazlkj )根据资料整理，转载请注明出处。新一代SiC 功率半导体产凭借其低功耗、长寿命、高频率、体积小、质量轻等优势，在EV、轨交、通信及光伏领域具备较强的替代潜 ...; 分类: 联盟动态 2021-2-10 09:07

56亿！这个第三代半导体项目签约南昌: 2月7日，南昌县(小蓝经开区)双创嘉年华暨“三请三回”招商推介项目签约仪式在该县会展中心举行。活动共集中签约项目30个，签约金额635亿元！据了解，本次集中签约的30个项目，其中包括投资122亿元的南昌钱学森硬科技 ...; 分类: 联盟动态 2021-2-10 09:06

不要错过碳化硅！新能源车助推产业迎来发展良机: 自从去年9月我国明确提出2030年“碳达峰”与2060年“碳中和”的目标后，光伏、新能源汽车等相关产业迎来巨大的发展机遇，吸引了市场的注意。事实上，除了光伏等产业外，还有一个风口或也受益于碳中和，这就是SiC碳化 ...; 分类: 联盟动态 2021-2-10 09:06

集成电路企业等享受税收优惠有何条件？国家发改委征求意见: 2月7日，国家发改委发布关于对《关于印发享受税收优惠的集成电路企业或项目、软件企业清单制定有关要求的通知（征求意见稿）》公开征求意见的公告。公告指出，为贯彻落实《国务院关于印发新时期促进集成电路产业和软 ...; 分类: 公告通知 2021-2-9 09:35

警惕第三代半导体产业无序竞争: 半月谈记者李斌郭宇靖盖博铭阳娜以碳化硅等为代表的第三代半导体技术方兴未艾，已经成为未来国家竞争的战略制高点，被业内称为“超级风口”。半月谈记者走访调研多家第三代半导体企业了解到，我国在这一领域与国 ...; 分类: 联盟动态 2021-2-9 09:11

深度解析SiC功率器件及其应用（下）: ▌新能源汽车及充电桩电源模块新能源汽车行业的快速发展带动了充电柱的需求增长，对新能源电动汽车而言，提升充电速度和降低充电成本是行业发展的两大目标。新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动因素，未来 ...; 分类: 联盟动态 2021-2-8 09:16

我国的芯片产业链布局: 我国芯片产业的发展总体上可分为四个阶段，分别是1956-1978年自力更生的初创期、1979-1989年改革开放后的探索发展期、1990-1999年重点建设时期、2000年以来的快速发展时期。自2000年以来，我国的芯片产业进入了快速 ...; 分类: 联盟动态 2021-2-8 09:15

深度解析SiC功率器件及其应用（上）: 来源：第三代半导体联合创新孵化中心（ID：casazlkj )2019年以来，我国发展面临世界经济增长低迷、国际经贸摩擦加剧、国内经济下行压力加大等诸多挑战，但是以SiC为代表的第三代半导体已成为集成电路产业发展重心， ...; 分类: 联盟动态 2021-2-8 09:15

汽车上的功率半导体: 来源：本文内容来自驭势资本，谢谢。随着汽车电动化、智能化、网联化等发展，汽车电子迎来结构性变革大机会。在传统燃料汽车中，汽车电子主要分布于动力传动系统、车身、安全、娱乐等子系统中。按照功能划分，汽车半 ...; 分类: 联盟动态 2021-2-7 08:59

联电首款6.6kW车载充配电单元批产采用SiC MOSFET: 2 月 3 日，联合电子首款 6.6kW 车载充配电单元（CharCON）在上海厂顺利批产。6.6kW CharCON 由联合电子完全自主开发，是一款高度集成化的车载电源产品，集成双向车载充电机（OBC）和大功率高压直流转换器（DCDC）， ...; 分类: 联盟动态 2021-2-7 08:59

资本加速涌入SiC和GaN领域: 来源：内容编译自「businesskorea」，谢谢。韩国贸易，工业和能源部（MOTIE）宣布计划增加对国内SiC和GaN业务的投资支持。此外，SK集团最近加强了对化合物半导体的投资。预计随着公司和政府投资的结合，SiC和GaN市场 ...; 分类: 联盟动态 2021-2-7 08:57

重塑半导体产业格局碳化硅晶片从“书架”走向“货架”: 第三代半导体行业技术准入门槛极高，碳化硅晶体生长极其困难，只有少数发达国家掌握碳化硅晶体生长和加工技术。碳化硅晶体国产化，对打破第三代半导体的国外垄断至关重要。　　 ——冯四江北京天科合达半导体股份有 ...; 分类: 联盟动态 2021-2-4 09:25

第四代半导体氧化镓的机遇与挑战（下）: （2）美国纽约州立大学布法罗分校（UB）据外媒报道，2020年4月，美国纽约州立大学布法罗分校（the University at Buffalo）正在研发一款基于氧化镓的晶体管，能够承受8000V以上的电压，而且只有一张纸那么薄。该团队 ...; 分类: 联盟动态 2021-2-4 09:25

第四代半导体氧化镓的机遇与挑战（上）: 来源：宇文戬本文由进化半导体材料有限公司供稿目前，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体受到广泛的关注，人们对SiC在新能源汽车、电力能源等大功率、高温、高压场合，以及GaN在快充领域的应用前景寄予 ...; 分类: 联盟动态 2021-2-4 09:23

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