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「SiC月刊」碳化硅产业6月刊上新
来源:芯TIP来源:芯TIP
分类:    2023-7-11 09:21
」派恩杰1700V/1Ω SiC MOSFET收获新能源知名车企订单
」派恩杰1700V/1Ω SiC MOSFET收获新能源知名车企订单
近日,据派恩杰半导体官微消息,派恩杰半导体的 1700V/1Ω SiC MOSFET 产品顺利通过了国内知名新能源汽车企业的主驱逆变器辅助电源项目测试,并已成功应用,这标志着派恩杰半导体成为了首家进入主驱逆变器系统的国产 ...
分类:    2023-7-11 09:20
纳芯微全新发布1200V系列SiC二极管
纳芯微全新发布1200V系列SiC二极管
近日,据纳芯微电子官微消息,纳芯微全新推出1200V系列SiC二极管产品,该系列产品专为光伏、储能、充电等工业场景而设计。其在单相或三相PFC、隔离或非隔离型DC-DC电路中均能展现出卓越的效率特性,完美满足中高压系 ...
分类:    2023-7-11 09:19
氮化镓推动无线充电应用
氮化镓推动无线充电应用
像GaN这样的化合物半导体有望为无线充电带来更美好的未来。无线充电在技术行业中变得越来越普遍,提供了一种更方便的设备充电方式,而无需使用电缆或插头。随着技术的进步,由于氮化镓(GaN)功率器件的使用,无线充 ...
分类:    2023-7-11 09:09
微电子所在氮化镓表面态物理起源与抑制方面取得新进展
微电子所在氮化镓表面态物理起源与抑制方面取得新进展
近日,微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与中科院合肥物质科学院固体物理所合作在氮化镓(GaN)表面态物理起源与抑制研究方面取得了重要进展,揭示了GaN表面天然氧化物中的无定型Ga2O是界面态的主要来源,创新研 ...
分类:    2023-7-10 09:59
武汉工程大学化学气相沉积法制备碳化硅单晶工艺项目科技成果转化
武汉工程大学化学气相沉积法制备碳化硅单晶工艺项目科技成果转化
近日,新能源新材料产学融合创新论坛暨成果转化签约仪式在武汉工程大学举行。武汉工程大学签署3项战略合作协议,与6家企业签约科技成果转化,项目涉及新能源、新材料创新领域,转化金额达4000余万元。其中就包含赵培 ...
分类:    2023-7-10 09:51
瀚天天成|宣布开始量产 8 英寸SiC外延晶片,已签订2.19亿美元长约
瀚天天成|宣布开始量产 8 英寸SiC外延晶片,已签订2.19亿美元长约
8英寸外延片发布新进展近期,瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司在第五届深圳国际半导体技术暨应用展览会(2023年5月16日-18日)上宣布,研发团队完成了具有自主知识产权的8英寸碳化硅外延工艺的技术开发,瀚天天 ...
分类:    2023-7-10 09:49
瑞萨电子与 Wolfspeed 签署 10 年碳化硅晶圆供应协议
瑞萨电子与 Wolfspeed 签署 10 年碳化硅晶圆供应协议
瑞萨电子与 Wolfspeed签署 10 年碳化硅晶圆供应协议协议强调:增强瑞萨电子对于提升其功率半导体路线图的承诺向 Wolfspeed 支付 20 亿美元定金,确保 150mm 和 200mm 碳化硅晶圆的供应协议,并支持 Wolfspeed 在美国 ...
分类:    2023-7-7 09:51
P型碳化硅粉物理气相传输生长P型4H -SiC单晶
P型碳化硅粉物理气相传输生长P型4H -SiC单晶
引言碳化硅(SiC)作为一种宽禁带半导体,具有许多优异的电子性能和高导热性,是制造大功率电子器件的理想材料。n通道绝缘栅双极晶体管(SiC IGBT)作为高压开关具有很大的性能优势和应用前景。该器件的制造需要具有低电 ...
分类:    2023-7-7 09:47
高压快充助力千里续航,碳化硅:舍我其谁?
高压快充助力千里续航,碳化硅:舍我其谁?
搭载800V高压碳化硅平台量产车型——小鹏G6充电10分钟,续航300公里。近日,小鹏汽车推出其走量车型G6,该车型搭载800V高压平台,充电1分钟可增加5%的续航。不只是小鹏汽车。当下,高压快充成为越来越多国内外主流车 ...
分类:    2023-7-7 09:40
Wolfspeed 8英寸厂向中国客户批量出货SiC MOSFET !
Wolfspeed 8英寸厂向中国客户批量出货SiC MOSFET !
根据Wolfspeed的最新消息,随着其在纽约州莫霍克谷工厂的投产,Wolfspeed已经开始向中国终端客户批量出货碳化硅MOSFET,首批供应的产品型号为C3M0040120K。莫霍克谷器件工厂后续还将开始更多产品型号碳化硅器件的样 ...
分类:    2023-7-6 09:47
厦门大学张洪良团队在氧化镓半导体带隙工程和日盲紫外光电探测器研究取得进展
厦门大学张洪良团队在氧化镓半导体带隙工程和日盲紫外光电探测器研究取得进展
近年来,以氮化镓(SiC)、碳化硅(GaN)等为代表的第三代(宽禁带)半导体由于其独特的光电性质、高击穿场强和电子饱和速率等显著优势,在显示、5G通讯、新能源汽车、轨道交通等高新产业领域逐渐获得重要应用。以宽 ...
分类:    2023-7-6 09:46
科技小饭局特别活动——​宽禁带半导体技术创新与发展趋势公益沙龙
科技小饭局特别活动——​宽禁带半导体技术创新与发展趋势公益沙龙
科技小饭局特别活动-宽禁带半导体技术创新与发展趋势◀宽禁带半导体联盟公益主题沙龙▶科技小饭局活动,作为宽禁带联盟精心打造的,集传播宽禁带半导体领域技术创新、科技成果转化、投融资等于一身的品牌 ...
分类:    2023-7-5 10:27
《半导体设备前端模块》团体标准草案评审会顺利召开
《半导体设备前端模块》团体标准草案评审会顺利召开
2023年7月4日,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(以下简称“宽禁带联盟”)2023年度第三次团体标准评审会顺利召开,本次评审会采取线上评审的形式,旨在对由北京锐洁机器人科技有限公司单位牵头起草的《半导体设 ...
分类:    2023-7-5 10:23
GaN单晶切片新突破,DISCO开发出优化的 KABRA® 工艺
GaN单晶切片新突破,DISCO开发出优化的 KABRA® 工艺
7月3日,据DISCO官网消息,公司采用了 KABRA(一种利用激光加工的晶锭切片方法),开发了一种针对 GaN(氮化镓)晶圆生产进行优化的工艺。通过该工艺,可以同时实现增加GaN晶片的生产数量和缩短生产时间。传统上,将 ...
分类:    2023-7-5 10:21

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