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下级分类:  公告通知|联盟动态
英飞凌宣布重组!
英飞凌宣布重组!
2月29日,英飞凌宣布了一项重要的销售与营销组织重组计划,以进一步强化其在全球范围内的销售体系。这一重组将在2024年3月1日正式生效。报道指出,英飞凌将其销售团队重组,以更好地满足客户需求并提高市场竞争力。 ...
分类:    2024-3-1 09:54
团体标准《碳化硅外延层深能级缺陷的测试 瞬态电容法》正式发布
团体标准《碳化硅外延层深能级缺陷的测试 瞬态电容法》正式发布
2024年2月27日,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式发布团体标准《碳化硅外延层深能级缺陷的测试 瞬态电容法》。对于半导体碳化硅材料,深能级缺陷指标非常重要,它很大程度上决定了材料质量和高压器件性能。目 ...
分类:    2024-3-1 09:49
横向极性结构GaN肖特基势垒二极管
横向极性结构GaN肖特基势垒二极管
宁波材料技术与工程研究所和中国科学院大学报告了一种高性能的准垂直氮化镓肖特基势垒二极管(SBD),该二极管使用横向极性结构(LPS),具有由N极材料包围的III极有源区。由此产生的器件在高达290V击穿电压的反向偏 ...
分类:    2024-2-29 09:28
大尺寸金刚石多晶膜在未来碳基氮化镓功率半导体的应用
大尺寸金刚石多晶膜在未来碳基氮化镓功率半导体的应用
随着碳基半导体的技术开发深入发展,大尺寸金刚石膜越来越成为阻碍碳基半导体技术的重要因素,国内国外相继生长出了大尺寸的的金刚石多晶膜,铂世光公司在这方面取得长足的进展,应用自己多年积累的技术,不断突破, ...
分类:    2024-2-29 09:23
【标准下载】宽禁带半导体技术创新联盟团体标准下载
【标准下载】宽禁带半导体技术创新联盟团体标准下载
截止至目前,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟已成功发布团体标准共19项,现有10项正在制订过程中。中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟作为国家标准化管理委员会第二批团体标准试点单位,同时也作为中关村国家自 ...
分类:    2024-2-27 14:15
普兴电子:年产24万片SiC外延项目环评公示
普兴电子:年产24万片SiC外延项目环评公示
2月23日,普兴电子官网宣布,其“6英寸碳化硅外延片产业化项目”进行了第一次环境影响评价信息公示。根据公告内容,该项目建设性质为扩改建,项目总投资3.5亿元,用公司厂房,采购碳化硅外延炉116台及配套测试仪器等 ...
分类:    2024-2-27 09:32
重新认识FinFET
重新认识FinFET
FinFET 构成了当今许多半导体制造技术的基础,但也产生了影响布局的重大设计问题。了解 finFET 所需的变化和设计策略对于构建有效的布局至关重要。在这篇文章中,我们将讨论这些变化如何影响集成电路布局。FinFET 技 ...
分类:    2024-2-26 09:47
「沟槽」的SiC 战场
「沟槽」的SiC 战场
*来源:PGC Consultancy Ltd 作者:Peter Gammon 编译:吴晰目前,SiC 行业出现了两极分化:一方面是选择保守、安全的平面 MOSFET 设计,另一方面是大力发展高效、紧凑的沟槽 MOSFET 设计。虽然目前平面设计似乎占据 ...
分类:    2024-2-26 09:19
美国向SK Siltron CSS提供5.44亿美元贷款用于SiC晶圆生产
美国向SK Siltron CSS提供5.44亿美元贷款用于SiC晶圆生产
今天,美国能源部(DOE)贷款计划办公室(LPO)宣布向SK Siltron CSS, LLC提供5.44亿美元的有条件贷款,以扩大美国电动汽车(EV)电力电子设备用高质量碳化硅(SiC)晶圆的生产。碳化硅半导体专为高压应用而设计, ...
分类:    2024-2-26 09:16
氧化镓,进展如何?
氧化镓,进展如何?
摘要在美国,电能占一次能源使用总量的 40%,而且随着电动汽车、可再生能源发电和能源存储的出现,预计电能的使用量还将迅速增长,因此,电力电子产品正变得越来越重要。由于硅材料已达到极限,因此需要更适合大功率 ...
分类:    2024-2-23 11:24
半导体器件为什么需要“外延层”
半导体器件为什么需要“外延层”
外延片的名字来源首先,先普及一个小概念:晶圆制备包括衬底制备和外延工艺两大环节。衬底(substrate)是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片,衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件,也可以进行外延工艺加工 ...
分类:    2024-2-23 09:40
第三代半导体外延材料的产业化应用之路
第三代半导体外延材料的产业化应用之路
手机电脑快充器件、新能源车载电源、5G基站、MicroLED、深紫外LED……这些设备都离不开氮化镓外延材料,这也让该材料成为资本市场关注的“宠儿”。根据相关市场调研机构的预测显示,到2026年,全球氮化镓电子和光电 ...
分类:    2024-2-23 09:25
南京邮电大学:mist-CVD生长Sn:Ga₂O₃的方法进行了深入研究
南京邮电大学:mist-CVD生长Sn:Ga₂O₃的方法进行了深入研究
雾化化学气相沉积(mist-CVD)技术是一种被广泛应用于Ga2O3薄膜生长的方法。这一技术的突出特点包括无需真空、低成本和易操作,同时由于采用有机镓源与氧源反应沉积Ga2O3,与主流的金属有机化学气相沉积(MOCVD)技 ...
分类:    2024-2-22 09:52
带隙对决:GaN和SiC,哪个会占上风
带隙对决:GaN和SiC,哪个会占上风
电力电子应用希望纳入新的半导体材料和工艺。随着氮化镓(GaN)在照明领域应用的兴起,电力电子封装技术的进步也同样重要。氮化镓和碳化硅(SiC)的采用需要创新方法来管理增加的功率能力。散热器技术的最新发展尤其 ...
分类:    2024-2-22 09:44
【成员风采】中机新材获过亿元 A 轮融资
【成员风采】中机新材获过亿元 A 轮融资
中机新材完成过亿元A轮融资北拓资本官方于2月20日发布消息称,深圳中机新材料有限公司(以下简称:中机新材)日前完成过亿元A轮融资。本轮融资由元禾璞华、毅达资本领投,中金战新、元禾控股、深圳中小担、立湾创投 ...
分类:    2024-2-22 09:40

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