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CMP抛光垫热销揭秘：不是所有垫子都“爆卖”！: CMP抛光垫：抛光液的天生“搭档”化学机械抛光(CMP)可实现整个晶片表面上行的全局和局部平坦化。在CMP的操作模式中，由抛光垫表面粗糙度、浆料研磨剂纳米颗粒和晶片表面引起的三体接触导致晶片表面材料均匀地去除， ...; 分类: 新闻通知 2024-7-11 09:39

6月碳化硅行业“看点”：8英寸入局“混战”: 碳化硅，正受到越来越多新能源汽车厂商的重视。碳化硅器件在高温、高压、高频等方面的优异性能与消费者对新能源汽车快充和续航方面的需求相吻合，并逐渐成为新能源汽车逆变器及充电设备的首选材料，融合程度持续加深 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-11 09:34

宽禁带科技论|电子科技大学研究团队在NiO/β-Ga2O3异质结晶体管退化模型和可靠性加固 ...: NiO/β-Ga2O3异质结的形成在一定程度上缓解了氧化镓p型掺杂缺失这一关键问题，然而，突变的NiO/β-Ga2O3异质结可能带来的非理想因素如界面态和空间电荷区中的缺陷等可能产生严重的陷阱效应，因此，研究NiO/β-Ga2O3 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-11 09:15

全12种！ | CVD 技术全介绍！: 来源：先进半导体材料*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。; 分类: 新闻通知 2024-7-10 09:22

谁将赢得宽带隙之战？: 氮化镓和碳化硅正在争夺主导地位，它们将减少数十亿吨温室气体排放。先进的半导体能减少温室气体排放，在遏制气候变化的斗争中发挥重要作用吗？答案是非常肯定的。这种变化实际上正在发生。大约从2001年开始，化合物 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-10 09:14

电驱逆变器SiC功率模块芯片级热分析: 摘要：本文提出一个用尺寸紧凑、高成本效益的DC/AC逆变器分析碳化硅功率模块内并联裸片之间的热失衡问题的解决方案，该分析方法是采用红外热像仪直接测量每颗裸片在连续工作时的温度，分析两个电驱逆变模块验证，该 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-10 09:10

“金刚石+氧化镓”助力更高性能射频器件: 由日本九州大学、日本国家先进工业技术研究所 (AIST)、九州工业大学、埃及阿斯旺大学和日本日埃科技合作中心 (E-JUST 中心) 的组成的联合研究团队，报道了“利用射频磁控溅射在单晶金刚石（111）晶圆上异质外延生长 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-10 09:02

日本立命馆大学采用电化学机械抛光技术，SiC抛光效率可提升10倍: 近日，日本立命馆大学（Ritsumeikan University）一研究团队开发了一种新型的ECMP（电化学机械抛光）技术，实现了约15μm/h的材料去除率，使得SiC抛光得到大幅度提升。该团队开发的这种技术，在抛光过程中，碳化硅衬 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-9 09:07

氮化镓，取得了新的突破: 7月4日，名古屋大学证实，通过GaN和金属镁（Mg）之间的简单热反应形成了独特的超晶格结构，可以提高P型GaN基器件的性能。该成果是YLC特聘助理教授王佳和名古屋大学先端研究所/未来材料与系统研究所Hiroshi Amano教授 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-9 09:03

爱仕特科技：SiC MOS在新能源汽车上的应用: 近日，深圳爱仕特科技有限公司应用开发总监：余训斐围绕《SiC MOS在新能源汽车上的应用》的主题，针对当前新能源汽车市场趋势、SiC MOS特性与优势、SiC MOS在新能源汽车上的应用等进行演讲分享，对当前半导体行业与 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-9 08:56

西电广州研究院第三代半导体创新中心攻克1200V以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术: 近期，西安电子科技大学广州研究院第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授课题组李祥东团队在蓝宝石基增强型e-GaN电力电子芯片量产技术研发方面取得突破性进展。研发成果6英寸增强型e-GaN电力电子芯片以“p-GaN G ...; 分类: 新闻通知 2024-7-9 08:52

吉利学院：宽禁带半导体行业趋势及变化: 近日，吉利学院智能网联与新能源汽车学院：副教授周虎围绕《宽禁带半导体行业趋势及变化》的主题，针对功率半导体发展的路径、SiC碳化硅与GaN氮化镓当前应用背景与技术路线、宽禁带半导体未来的变化趋势以及应用表现 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-8 09:16

快讯 | 再增3倍产能，罗姆旗下衬底厂SiCrystal新厂房奠基: 作为加强半导体行业和推广可持续技术的重要一步，SiCrystal GmbH今日发布消息称，公司将在纽伦堡东北部当前场地正对面创建一个新的额外生产空间。新大楼将额外提供6,000平方米的生产空间，并将配备尖端技术，以进一 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-8 09:10

技术向 | 浅谈SiC功率器件动态偏压可靠性测试: 1.概述SiC功率器件的动态特性及栅极长期可靠性问题存在诸多挑战，特别是其偏压温度不稳定性（Bias Temperature Instability，BTI）所引起的阈值电压Vth漂移问题更为复杂。因此，需要对SiC功率器件的可靠性进行测试， ...; 分类: 新闻通知 2024-7-8 09:08

宽禁带科技论|使用激光图案化衬底方法在Ir/YSZ/Si (001)复合衬底上制备2英寸自支撑金 ...: 作为一种超宽带隙半导体材料，金刚石具有禁带宽度大、载流子迁移率高、载流子饱和漂移速度大、临界击穿场强大、热导率高等优点，非常适合用于制备高频、大功率、耐高温、抗辐照的电子学器件以及深紫外波段的光电子器 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-8 08:59

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