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资讯 | 碳化硅成本分析和降低成本的路线图: 本文是Perter Gammon博士对于SiC行业发展的预测。Perter Gammon博士在SiC的设计、制造和测试方面有15年的经验，在从材料到外延和器件的价值链上发表了80多篇期刊和会议论文。他也是PGC SiC咨询公司的创始人，专门提 ...; 2023-3-24 09:35

研报 | 衬底篇：工欲善其事必先利其器，碳化硅衬底市场群雄逐鹿: 【研报核心观点】一、碳化硅性能优异，衬底为最核心环节：碳化硅材料性能突破硅基极限，相较于传统硅基器件，碳化硅功率器件的功率密度、开关效率和器件损耗上都有大幅度优化。碳化硅产品生产流程从材料端衬底与外 ...; 2023-3-24 09:29

碳化硅“备战”光伏市场: 在能源电子产业加速发展的背景下，全球光伏装机量持续攀升，为碳化硅带来可观的市场增量。Yole研报预计，应用于光伏发电及储能的碳化硅市场规模将在2025年达到3.14亿美元，2019—2025年复合增长率为17%。同时，光伏 ...; 2023-3-24 09:21

英飞凌：对SiC充满信心，新技术不代表有大格局的变化！: 近日特斯拉在其投资日上宣布，在下一代新型汽车中将减少75%的SiC的用量，一时间引得行业议论纷纷，对此，英飞凌科技高级副总裁、工业功率控制事业部大中华区负责人于代辉在3月14日召开的“数字低碳、永续发展”的媒 ...; 2023-3-23 10:12

如何精确测量SiC和GaN器件，以挖掘潜力，优化效率和可靠性: 以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体，由于其优异的特性得到了快速的发展，然而，如何精确测量这些器件的参数也特性，以挖掘他们得潜力，优化其效率和可靠性，却需要高精度的测试测量设备和专业的方 ...; 2023-3-23 10:11

投资翻番 | 三菱电机将投资7.56亿美元建新的 8 英寸碳化硅晶圆厂，推动碳化硅功率半导 ...: 导读日前，三菱电机公司宣布，将在截至2026 年 3 月的五年内将之前宣布的投资计划翻一番，达到约 2600 亿日元，主要用于建设新的晶圆厂，以增加碳化硅 (SiC) 功率半导体的生产。▋投资规划根据计划，预计三菱电机将 ...; 2023-3-23 10:07

全球碳化硅TOP 6榜单，第一名你猜对了吗？: 在汽车应用的强烈推动下，尤其是在电动汽车主逆变器的需求影响下，继特斯拉采用 SiC 之后，有多个厂商在过去几年发布了与SiC有关的电动汽车公告。此外，特斯拉创纪录的出货量帮助 SiC 器件在 2021 年达到 10 亿美元 ...; 2023-3-22 09:16

博格华纳全球第二大Viper生产基地启用｜三代半·电报: ▌博格华纳PDS苏州研发中心暨二期厂房启用日前，博格华纳PDS苏州研发中心暨二期厂房正式启用。据悉，研发中心将专注于电力电子、逆变器和DC/DC转换器等产品的全方位设计，并结合本土Viper功率模块 (硅基IGBT模块和碳 ...; 2023-3-22 09:12

预测：2031年SiC晶圆市场将达到29.4亿美元，年复合增长率15.3%: 近日，Straits Research发布了SiC晶圆市场的预测分析，主要亮点：1.北美是最重要的收入来源，预计在预测期内将以15.7% 的复合年增长率增长。2.到 2031 年，全球SiC 晶圆市场规模预计将达到29.4 亿美元，在预测期内（ ...; 2023-3-21 09:29

金刚石在 GaN 功率放大器热设计中的应用: 摘要：随着 GaN 功率放大器向小型化、大功率发展，其热耗不断增加，散热问题已成为制约功率器件性能提升的重要因素。金刚石热导率高达 2000 Ｗ/(m·K)，是一种极具竞争力的新型散热材料，可用作大功率器件的封装载片 ...; 2023-3-21 09:23

GeneSiC的“实力派”碳化硅功率器件: 前言路上随处可见的电动汽车、工厂里精密的机械手、草原上永不停歇的风力发电机...，电力进一步成为我们生活必不可缺的重要能源，这些加速能量转换的幕后英雄正是我们熟知的第三代半导体——氮化镓(GaN)和碳化硅（Si ...; 2023-3-21 09:22

【联盟活动】聚焦新一代半导体产业，中关村“火花”活动沙龙成功举办: 新一代半导体材料是产业变革的基石。从以硅为代表的第一代半导体材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体材料，以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体材料，到被视为第四代半导体最佳材料之一的氧化镓材料，半导 ...; 2023-3-21 09:19

GaN良率受限，难以取代IGBT: GaN要快速扩散至各应用领域，仍有层层关卡待突破。氮化镓（GaN）主要是指一种由人工合成的半导体材料，是第三代半导体材料的典型代表，研制微电子器件、光电子器件的新型材料。氮化镓技术及产业链已经初步形成，相 ...; 2023-3-20 09:28

西电张进成团队 | 一种具有叠层钝化结构的高耐压低功耗GaN功率器件: 2023-03-20 09:07GaN 功率器件具有高临界击穿场强、高开关频率、高转换效率等优点，在快充、电源、数据中心、电动汽车等领域具有广阔的应用前景。GaN 功率器件通常制备在基于硅或蓝宝石衬底的 AlGaN/GaN 异质结上。 ...; 2023-3-20 09:26

博世：重点布局碳化硅加大半导体投资: 近年来，以碳化硅为代表的第三代半导体材料凭借着在禁带宽度、击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导率以及抗辐射等关键参数方面的显著优势，进一步满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求，从而成为半导体材 ...; 2023-3-20 09:21

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