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【器件与应用专场报告】第四届亚太碳化硅及相关材料国际会议: 11月9日-10日器件与应用专场由中国台湾英飞凌旗下事业GaN Systems 业务开发副总裁 Andy Chuang、北京智慧能源研究院功率半导体研究所所长金锐、株洲中车时代电气股份有限公司中车科学家刘国友、宽禁带半导体技术创 ...; 2023-11-27 13:25

【材料与装备专场报告】第四届亚太碳化硅及相关材料国际会议: 11月9日-10日材料与装备专场报告由厦门大学张峰教授、北京镓和半导体有限公司董事长唐为华教授、山东大学贾志泰教授、奥趋光电技术(杭州 )有限公司创始人兼CEO吴亮主持。材料与装备专场邀请了中国科学院苏州纳米技术 ...; 2023-11-27 11:18

【主会场报告】第四届亚太碳化硅及相关材料国际会议 APCSCRM 2023: 2023年11月8日-10日，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国科学院物理研究所、中国电子材料行业协会半导体材料分会、中国晶体学会主办，北京天科合达半导体股份有限公司承办的第四届亚太碳化硅及相关材料国际 ...; 2023-11-27 09:45

开放联通，共筑未来-第四届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2023)圆满闭幕！: 2023年11月8日-10日，第四届亚太碳化硅及相关材料国际会议(Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials，APCSCRM 2023)在中国北京朗丽兹西山花园酒店盛大召开。本次会议由中关村天合宽禁带半 ...; 2023-11-27 09:28

碳化硅衬底抛光材料的技术与产业进展技术交流活动成功举办！: 碳化硅单晶具有优异的热、电性能，在高温、高频、大功率、抗辐射集成电子器件领域有着广泛的应用前景。SiC衬底制成的半导体器件，可以更好满足高温、高压、大功率等条件下的应用需求。在SiC衬底的应用，表面超光滑是 ...; 2023-9-22 09:32

《6~8 英寸碳化硅单晶抛光片》、《半导体设备前端模块》两项标准送审稿评审会顺利召开: 2023年9月19日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）2023年度第四次团体标准评审会顺利召开，本次评审会采取线上评审的形式，旨在对由北京天科合达半导体股份有限公司牵头起草的《6~8 英 ...; 2023-9-20 08:54

新一代半导体沙龙互动热烈，产学研资多位嘉宾精彩开讲！: 以“新一代半导体”为中心的更高水平的创新和竞争仍在继续，尤其在人工智能、云计算、5G等新一代科技领域的发展中，新一代半导体行业的地位更加突出。半导体材料从硅、砷、氮化镓、碳化硅等为代表的三代发展历程，到 ...; 2023-9-5 09:32

科技小饭局——碳化硅色心量子传感进展及应用交流活动成功举办！: 碳化硅是一种广泛应用于微电子、航天航空、大功率器件等行业的宽禁带半导体材料。碳化硅具有成熟的单晶生长、微纳加工和掺杂等技术。近几年,碳化硅色心因具有近红外荧光辐射、长自旋相干时间以及易于集成等优点吸引 ...; 2023-8-31 10:00

“科创中国”技术路演——宽禁带半导体（深圳）专场活动成功举行: 8月24日下午，由中国科学技术协会主办，中国科协企业创新服务中心、深圳市科学技术协会、中关村产业技术联盟联合会、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟共同承办的“科创中国”技术路演——宽禁带半导体（深圳）专 ...; 2023-8-28 09:48

碳化硅色心量子传感进展及应用 8月29日 19:30 准时开讲！: ⏰8月29日【下周二19:30】碳化硅色心量子传感进展及应用我们邀请到「四川大学研究员王俊峰」作客小饭局Pro，分享碳化硅色心量子传感进展及应用~; 2023-8-24 08:54

原材料工业司参加2023宽禁带半导体先进技术创新与发展高峰论坛: 2023年8月10日，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟主办，中国机床工具工业协会超硬材料分会等单位协办的2023宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛在北京召开，近200家企业参加会议。工业和信息化部原材料 ...; 2023-8-15 09:19

“园区行”走进顺义园暨“宽禁带半导体技术创新与发展趋势”公益主题沙龙活动顺利举办: 7月14日，由北京市科委、中关村管委会、北京市科学技术协会、中关村顺义园管委会指导，中关村产业技术联盟联合会携手中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟共同主办，埃米空间新材料产业信息服务平台承办的“园区行” ...; 2023-7-18 10:19

《半导体设备前端模块》团体标准草案评审会顺利召开: 2023年7月4日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）2023年度第三次团体标准评审会顺利召开，本次评审会采取线上评审的形式，旨在对由北京锐洁机器人科技有限公司单位牵头起草的《半导体设 ...; 2023-7-5 10:23

6英寸SiC单晶应力模拟: 1.引言SiC单晶具有击穿场大、带隙宽、电子迁移率高、热导率高、饱和漂移速度大等特点。此外，SiC晶圆具有优异的理论器件性能和物理化学稳定性，是高温高压环境下高频大功率电子器件的理想衬底，如电力传输、5G通信、 ...; 2023-7-4 09:26

南京大学在GaN基Micro LED研究领域取得新进展: GaN基Micro LED由于具有高亮度、高稳定性、长寿命和低功耗等优点，被认为是继LCD和OLED之后，最具潜力的下一代显示技术。在显示应用中，通常需要驱动电路与Micro LED通过异质集成以达到对单个像素控制的目的，研究更 ...; 2023-7-4 09:16

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