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联盟动态

又一车企采用SiC?5月上市
又一车企采用SiC?5月上市
最近,又有新车型采用碳化硅技术了——日本丰田宣布,他们搭载碳化硅OBC的车型将于今年5月上市。如今,OBC采用碳化硅的势头正在全球蔓延,今天“三代半风向”就给大家汇总一下有哪些OBC企业正在积极导入碳化硅。丰田 ...
2022-4-15 11:07
SiC还是IGBT,新能源汽车如何选?
SiC还是IGBT,新能源汽车如何选?
新品介绍2021年,英飞凌推出了一款新的HybridPACK™ Drive CoolSiC™功率模块。这是一款具有 1200V 阻断电压的全桥模块,针对电动汽车中的牵引逆变器进行了优化。该产品使得具有更长续航里程和更低电池成 ...
2022-4-14 11:37
国产车规级触控MCU方案助力汽车智能按键应用
国产车规级触控MCU方案助力汽车智能按键应用
本文将重点追踪报道车规MCU中的触控类芯片和方案。市场调查机构Omdia近期报告显示,全球半导体市场增长幅度将由2021年的21.1%降至2022年的4.2%,增速趋于平缓。但汽车半导体市场仍将出现大幅增长,市场规模将由2021 ...
2022-4-14 11:36
中车时代公告扩产6英寸碳化硅芯片产能
中车时代公告扩产6英寸碳化硅芯片产能
产业动态:4月12日,时代电气发布公告称子公司中车时代半导体拟4.62亿元进行碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目。工艺、产能同步调整2013年中车开始着手建设碳化硅项目,当时拟投资2.9亿元组建4~6英寸SiC芯片模 ...
2022-4-14 11:34
清纯半导体推出首款国产15V驱动SiC Mosfet,已通过车规级测试
清纯半导体推出首款国产15V驱动SiC Mosfet,已通过车规级测试
使国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。36氪获悉,国内头部碳化硅器件研发企业「清纯半导体」,近日发布国内首款15V驱动的1200V SiC Mosfet器件平台产品。它填补了国内15V驱动SiC Mosfet产品的空白,使国内SiC功率 ...
2022-4-13 13:43
SiC到底为什么那么“神”?
SiC到底为什么那么“神”?
相比硅基功率半导体,SiC(碳化硅)功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在显著优势。随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后,更多的企业也开始落地碳化硅产品。SiC那么“神乎其神”,究竟是怎么造出来 ...
2022-4-13 13:42
SiC功率器件的鲁棒性和可靠性问题
SiC功率器件的鲁棒性和可靠性问题
以下文章来源于芯TIP ,作者Peter Friedrichs*Vol.17报告主题:SiC功率器件的鲁棒性和可靠性问题报告作者:Peter Friedrichs(Infineon Technologies AG)报告内容包含:(具体内容详见下方全部报告内容)SiC 可靠性 ...
2022-4-13 13:41
8英寸转6英寸或成新趋势,设备国产化有望借此东风
8英寸转6英寸或成新趋势,设备国产化有望借此东风
上世纪80年代,6英寸晶圆的横空出世,代表了半导体产业正式迈向成熟商业化,而后在长达近10年的时间里,6英寸作为晶圆制造最高规格,被争相追逐。芯观点──聚焦国内外产业大事件,汇聚中外名人专家观点,剖析行业发 ...
2022-4-13 13:33
SiC 市场高速增长
SiC 市场高速增长
据国际知名分析机构 Yole 在早前的一份报告中介绍,受汽车应用的强劲推动,尤其是在 EV 主逆变器方面的需求,SiC 市场将迎来高速增长。报告指出,继特斯拉采用 SiC 后,2020 年和 2021 年又有多款新发布的 EV 使用Si ...
2022-4-12 11:00
1200V!又有车规级沟槽型SiC MOSFET
1200V!又有车规级沟槽型SiC MOSFET
近日,韩国一家半导体企业宣布,他们也开发了1200V沟槽型SiC MOSFET器件,实现了车规级产品的本土化制造。除了罗姆和英飞凌,国内外还有哪些企业和机构在开发沟槽型SiC MOSFET?今天,“三代半风向”给大家盘点一下 ...
2022-4-12 11:00
OBC典型拓扑中SiC mosfet不同封装的性能分析
OBC典型拓扑中SiC mosfet不同封装的性能分析
在OBC拓扑中,传统的mosfet不能让开关损耗和效率得到最优化,而SiC mosfet可以通过高频化让OBC拓扑的开关损耗减小,效率得以优化,体积和综合成本得以减小。本文通过侧重对器件封装分析,讨论一下封装对OBC电路的性 ...
2022-4-12 10:59
国产碳化硅产品将在储能变流器产业应用市场实现“快跑”
国产碳化硅产品将在储能变流器产业应用市场实现“快跑”
储能变流器市场爆发在全球“碳达峰、碳中和”的目标下,风电、光伏发电将快速发展,储能是解决风电、光伏发电不稳定性、间歇性,增强能源系统供应安全性、灵活性的重要手段。随着“十四五”风光装机容量的扩大,各地 ...
2022-4-11 14:30
P-N结增强GaN HEMT
P-N结增强GaN HEMT
向 GaN HEMT 添加 p-n 结可以提高其击穿电压商用 GaN HEMT 最显著的弱点之一是其栅极电压往往被限制在不超过 7 V的范围内,以确保安全运行。这种限制减少了栅极驱动器的选择,并排除了使用栅极偏压超过 10 V 的硅基 ...
2022-4-11 14:30
SiC赋能更为智能的半导体制造/工艺电源
SiC 赋能更为智能的半导体制造/工艺电源半导体器件的制造流程包含数个截然不同的精密步骤。无论是前道工艺还是后道工艺,半导体制造设备的电源都非常重要。与基于硅的电源模块相比,使用碳化硅(SiC)的电源具有更为 ...
2022-4-11 14:29
SiC MOSFET 高温栅氧可靠性研究
SiC MOSFET 高温栅氧可靠性研究
摘要:碳化硅(SiC)具有优良的电学和热学特性,是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC 材料制成的功率 MOSFET 非常适合应用于大功率领域,而高温栅氧可靠性是大功率 MOSFET 最需要关注的特性之一。本文通过正压高 ...
2022-4-11 14:28

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