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缺陷密度对4H-SiC衬底力学特性的影响: 介绍结构扩展和点状缺陷的存在不仅会从电气角度影响SiC器件的性能，还会从机械角度影响SiC器件的性能。众所周知，SiC缺陷不利于电气可靠性和性能;它们对设备机械产量的影响没有得到适当的研究。在这方面，研究4H-SiC ...; 分类: 联盟动态 2023-4-4 09:19

采用氮化镓IC的电动助力转向: 在现代汽车中，增加的重量和更宽的前轮胎使无辅助转向变得不切实际，因为对操作员的阻力增加。因此，几年前，采用了电动助力转向。一开始，对驾驶员的辅助是通过液压系统完成的，并且始终运行的泵用于为回路中使用的 ...; 分类: 联盟动态 2023-4-4 09:17

关于举办“高精尖”宽禁带半导体产业技能高级研修班的通知: 2023年5月9日-11日 “高精尖”宽禁带半导体产业技能高级研修班开课啦; 分类: 公告通知 2023-4-3 11:16

开放、创新、融合，硬科技项目交流会，等你来参加！: 活动简介当前，我国半导体企业正迎来新一轮发展，为了推动半导体产业的高效运作和技术供需对接，促进投融资、产业链、创业服务等各环节资源要素融合，提高行业整体服务质量，促进各个环节的良好合作，宽禁带联盟、工 ...; 分类: 公告通知 2023-4-3 09:35

三星电子计划投资8英寸SiC功率半导体：已经投入5-10亿元: 3月30日新闻，据韩媒THELEC报道称，三星电子正在推进设备投资，以开发8英a寸SiC/GaN工艺。据了解，迄今为止完成的投资仅在 1000 亿至 2000 亿韩元之间（折合人民币5.3亿-10.6亿元）。该行业正在寻找一个可以超越简单 ...; 分类: 联盟动态 2023-4-3 09:28

超高速氮化镓控制芯片: 通过将脉冲宽度减小到2ns，罗姆称其可以使用单个电源IC将高达60V的电压降到低至0.6V的低电压。罗姆开发了超高速控制 IC 技术，以最大限度地提高 GaN 和其他高速开关器件的性能。近年来，GaN器件因其优异的高速开关特 ...; 分类: 联盟动态 2023-4-3 09:23

西电芜湖研究院宽禁带半导体器件试制线成功通线: 3月25日，西电芜湖研究院举办宽禁带半导体器件试制线通线仪式，中国科学院院士郝跃，芜湖市人民政府副市长朱的娥出席活动并致辞。朱的娥对西电芜湖研究院试制线成功通线表示祝贺。朱的娥表示，试制线成功通线是西芜 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-31 09:41

从美国总统访问Wolfspeed，看美日欧SiC扩产潮: 3月28日，Wolfspeed官网发文称，美国总统的“投资美国”之旅的第一站美视察了Wolfspeed总部，足见美国政府对碳化硅这一汽车关键材料和部件的重视。某种程度上，央视今年大年初一报道天科合达，也体现了对中国对碳化 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-31 09:39

宽禁带半导体功率器件检测认证及可靠性评价技术进展与趋势成功举办！: 近年来，以碳化硅和氮化镓为代表的第三代功率半导体迅猛发展，已成为中国功率电子行业的研发和产业化应用的重点。抓住第三代功率半导体的战略机遇期，实现半导体材料、器件、封装模块和系统开发的自主可控，对保障工 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-31 09:34

基于金刚石的先进热管理技术研究进展: 摘要：以GaN 为代表的新一代半导体材料具有宽禁带、高电子饱和速率、高击穿场强等优异的电学性能，使得射频、电力电子器件有了具备更高功率能力的可能，目前限制器件功率提升的主要瓶颈是缺少与之匹配的散热手段。具 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-30 09:55

GaN出击: 自上世纪五十年代以来，以硅材料为代表的第一代半导体材料取代了笨重的电子管引发了以集成电路为核心的微电子领域迅速发展。随着时间的流逝，尽管目前业内仍然以Si材料作为主流半导体材料，但第二代、第三代甚至是第 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-30 09:42

第三代半导体SiC芯片关键装备现状及发展趋势: 第三代半导体SiC芯片关键装备现状及发展趋势杨金，巩小亮，何永平（中国电子科技集团公司第四十八研究所，湖南长沙 410111）摘要：第三代半导体材料SiC具备熔点高、硬度大、稳定性好等特点，其制备工艺需要开发一 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-29 09:22

用复合晶体管开辟新天地: 独特的集成制造工艺创造了复合晶体管，将氮化镓HEMT的低导通电阻与SiC二极管的非破坏性击穿结合起来。作者：国家先进工业科学技术研究所，Akira NAKJIMA我们这个星球的温度正在上升，这将给人类带来可怕的后果。正因 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-29 09:17

英飞凌 | 新品发布·光伏用1200V CoolSiC™ Boost EasyPACK™模块: 3月27日，英飞凌对外发布新品—光伏用1200V CoolSiC™ Boost EasyPACK™模块：光伏用1200V CoolSiC™ Boost EasyPACK™模块，采用M1H芯片，导通电阻8-17毫欧五个规格，PressFIT压接针和NTC。产 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-29 09:16

SiC，准备好爆发了吗？: 自1991 年第一批晶圆发布后，SiC 的发展相当缓慢，仅仅 20 年后就推出了第一个全 SiC 商用 MOSFET。最终，是特斯拉及其 400V 逆变器在 2018 年将这种复合材料推向了前沿。从那时起，人们对具有高功率密度、效率和高 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-28 09:50

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