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SiC有望打破新能源汽车充电难题,大功率充电桩站上风口
SiC有望打破新能源汽车充电难题,大功率充电桩站上风口
集微网消息,伴随新能源车替代传统燃油车的发展趋势,新能源车在国内保有量逐年上涨,但新能源车长途出行难的问题也随之而来,引发广泛思考。尽管随着技术发展,新能源汽车续航里程已不断突破,但续航里程依旧难以企 ...
分类:    2022-3-22 09:58
从手机快充到电动汽车,氮化镓功率半导体潜力无限
从手机快充到电动汽车,氮化镓功率半导体潜力无限
近期,苹果“爆料大神”郭明錤透露,苹果可能在今年某个时候推出下一款氮化镓充电器,最高支持30W快充,同时采用新的外观设计。与三星、小米、OPPO等厂商积极发力氮化镓快充产品相比,苹果在充电功率方面一直较为“ ...
分类:    2022-3-22 09:57
【标准化】工信部发布今年汽车标准化工作要点 含5方面15项内容
【标准化】工信部发布今年汽车标准化工作要点 含5方面15项内容
2022年汽车标准化工作要点2022年汽车标准化工作坚持以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导,全面贯彻党的十九大和十九届历次全会精神,立足新发展阶段,完整、准确、全面贯彻新发展理念,按照《国家标准化发展纲 ...
分类:    2022-3-21 18:05
新赛道超车?千亿资金涌入这里……
新赛道超车?千亿资金涌入这里……
中国电子科技集团下属企业最近宣布,成功研制了碳化硅(SiC)芯片。最近几年,中国千亿资金涌入第三代半导体材料,他们希望能够弯道超车,从巨大的5G、电动汽车市场中分得一杯羹。电动汽车拉动碳化硅需求最近两年,在 ...
分类:    2022-3-21 18:04
SK siltron在美国投资6亿美元的新厂投产,SiC产量或达6万片
SK siltron在美国投资6亿美元的新厂投产,SiC产量或达6万片
SK siltron美国新厂投产,工厂产能或达6万片据消息,SK siltron在美国密歇根州贝城建设的碳化硅(SiC)半导体晶圆工厂正式投入运营,虽然工厂产能尚未得到证实,但韩媒表示年产量预计将在6万片晶圆左右,比其现有的 ...
分类:    2022-3-21 18:04
设计GaN PA及其他射频器件和系统
设计GaN PA及其他射频器件和系统
在本章,我们将介绍设计氮化镓 (GaN) 功率放大器 (PA) 以及其他 GaN 应用的一些技术,并描述 GaN 在许多射频 (RF) 前端中的应用。我们还将探讨技术领导者如何在分立式、单芯片微波集成电路 (MMIC) 以及高度集成模块 ...
分类:    2022-3-18 11:02
电网采用氮化镓?电压高达6400V
电网采用氮化镓?电压高达6400V
3月15日,桑迪亚(Sandia)国家实验室官网称,他们开发了一款氮化镓器件,工作电压高达6400V,能够在十亿分之一秒内分流多余的电力,因此可以让电网免受电磁脉冲(EMP)损坏。这款器件是GaN基垂直二极管,尺寸为0.06 ...
分类:    2022-3-18 11:01
【APCSCRM 2022】Call For Paper~~
【APCSCRM 2022】Call For Paper~~
In order to encourage the learning and exchange of theories and technologies in the fields of wide bandgap semiconductor material growth, device preparation and packaging, device module application an ...
分类:    2022-3-18 09:11
碳化硅企业再获亿元A轮融资,快充电源市场还香吗?
碳化硅企业再获亿元A轮融资,快充电源市场还香吗?
近日,专注于碳化硅、硅功率半导体企业美浦森宣布完成近亿元A轮融资,此轮融资由深圳创东方领投,上市公司和而泰股份跟投。据了解,本轮资金将用于包含SJ-MOS、SGT-MOS、SiC器件产品线、IGBT等新产品的扩充和先进工 ...
分类:    2022-3-17 14:24
罗姆半导体为Lucid提供碳化硅半导体
罗姆半导体为Lucid提供碳化硅半导体
盖世汽车讯据外媒报道,罗姆半导体公司(Rohm Semiconductor)宣布,Lucid Motors已成为该公司的客户。Lucid将在Lucid Air的车载充电器中使用罗姆的碳化硅半导体(SiC MOSFET)。罗姆的碳化硅半导体将安装在Lucid Ai ...
分类:    2022-3-17 14:22
6吋氮化镓单晶面世!关键技术揭秘
6吋氮化镓单晶面世!关键技术揭秘
昨天,日本又一家企业——丰田合成——宣布成功量产了6英寸氮化镓单晶衬底。据丰田合成的最新文献,他们是通过钠助溶剂液相法,先在蓝宝石衬底上生长籽晶,然后再经过HVPE法生长高质量的氮化镓单晶,研发时间仅半年 ...
分类:    2022-3-17 14:21
II-VI加速对SiC的投资
II-VI加速对SiC的投资
宾夕法尼亚州和瑞典工厂的大规模扩建将使衬底和外延片生产受益宽禁带半导体制造商 II-VI 正在加速投资 150 毫米和 200 毫米 SiC 衬底和外延片制造,在美国宾夕法尼亚州伊斯顿(Easton)和瑞典基斯塔(Kista)进行大 ...
分类:    2022-3-16 10:09
图腾柱无桥PFC中混合碳化硅分立器件的应用
图腾柱无桥PFC中混合碳化硅分立器件的应用
前 言现代尖端电力电子设备性能升级需要提升系统功率密度、使用更高的主开关频率。而现有硅基IGBT配合硅基FRD性能已无法完全满足要求,需要高性能与性价比兼具的主开关器件。为此,基本半导体推出的混合碳化硅分立器 ...
分类:    2022-3-16 09:59
SiC MOSFET 在 6.6kW 高频率高功率密度功率转换器中的应用
SiC MOSFET 在 6.6kW 高频率高功率密度功率转换器中的应用
摘要本文介绍了碳化硅(SiC)器件在高频率 LLC 谐振 DC/DC 转换器中的应用。此类转换器可用于母线转换器、电动汽车充电机、服务器电源和储能系统。在开关频率较高的情况下,LLC 变压器的漏电感可用作谐振电感,在 50 ...
分类:    2022-3-15 14:29
清华大学集成电路学院任天令团队在小尺寸晶体管研究方面取得突破
清华大学集成电路学院任天令团队在小尺寸晶体管研究方面取得突破
近日,清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破,首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管,并具有良好的电学性能。晶体管作为芯片的核心元器件,更小的栅极尺寸能让芯片上集成更多的 ...
分类:    2022-3-15 14:28

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