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800V 架构能给新能源汽车带来多少新的改变？: 来源:新能源汽车技术中心一、800V 高压平台加快解决续航、充电焦虑问题（一）电动车 800V 高压平台正逐步落地因动力源差异，燃油车和电动车的电压平台差异大。燃油车动力源来自内燃机，车用电器对输出功率要求不高， ...; 分类: 联盟动态 2021-12-16 16:27

日本制造出GaN和SiC混合晶体管: 12月12日，日本国家先进工业科学技术研究所（AIST）宣布，它成功地制造并验证了混合晶体管的制造和操作，该晶体管将使用GaN的高电子流动性晶体管和使用SiC的PN二极管整体集成在一起。研究结果由AIST先进电力电子研究 ...; 分类: 联盟动态 2021-12-16 16:26

比亚迪半导体新款功率器件驱动芯片12月实现批量供货: 近期，比亚迪半导体基于先前研发成果的稳固基础上，继续整合自身优势，成功自主研发并量产1200V功率器件驱动芯片——BF1181，今年12月实现向各大厂商批量供货。BF1181是一款磁隔离单通道栅极驱动芯片，用于驱动1200V ...; 分类: 联盟动态 2021-12-15 11:10

宽禁带半导体：碳中和新赛道: 特斯拉在Model3使用了意法半导体生产的碳化硅MOSFET，开启了碳化硅上车之路。碳化硅 MOSFET 模组使特斯拉的逆变器效率从Model S的82%提升至Model 3的90%。比亚迪旗舰车型“汉”搭载了高性能碳化硅MOSFET电机控制模块 ...; 分类: 联盟动态 2021-12-15 11:09

电动汽车正在推动6英寸SiC晶圆需求: TrendForce集邦咨询表示，随着800V充电架构的临近，6英寸SiC晶圆的产量将在2025年达到169万片电动汽车市场对更长行驶里程和更短充电时间的需求，反过来又推动了汽车制造商生产具有800V 高压充电架构的车型。这其中包 ...; 分类: 联盟动态 2021-12-15 11:09

第三代半导体发展正当时！如何解决燃眉之急，实现局部超越？: 以碳化硅和氮化镓为主的第三代半导体，是继硅材料之后最有前景的半导体材料之一。国际上，第三代半导体实现了从研发到规模性量产的成功跨越。全球资本加速进入，产能大幅度提升，企业并购频发，第三代半导体正处于产 ...; 分类: 联盟动态 2021-12-15 11:09

使用氮化镓（GaN）提高电源效率: 如今，越来越多的设计者在各种应用中使用基于氮化镓的反激式AC/DC电源。氮化镓之所以很重要，是由于其有助于提高功率晶体管的效率，从而减小电源尺寸，降低工作温度。晶体管无论是由硅还是由氮化镓制成，都不是理想 ...; 分类: 联盟动态 2021-12-15 11:08

SiC功率器件的特性与系统设计应用: 来源：松哥电源; 分类: 联盟动态 2021-12-15 10:41

基于瞬态换流回路设计的3.3kV全碳化硅功率模块并联应用（下）: 「论文」基于瞬态换流回路设计的3.3kV全碳化硅功率模块并联应用2021-12-13 11:13·宽禁带联盟作者：孙建，胡博，宋高升三菱电机机电（上海）有限公司摘要碳化硅(SiC)功率模块的应用可以降低功率损耗，提高电力电子设 ...; 分类: 联盟动态 2021-12-13 11:23

「论文」基于瞬态换流回路设计的3.3kV全碳化硅功率模块并联应用（上）: 作者：孙建，胡博，宋高升三菱电机机电（上海）有限公司摘要碳化硅(SiC)功率模块的应用可以降低功率损耗，提高电力电子设备的性能，但是有时单支SiC功率模块的额定电流不能满足系统需求，特别是在2000Vdc以上的高压 ...; 分类: 联盟动态 2021-12-13 11:22

用于取代IGBT的碳化硅（SiC）MOSFET（下）: 商业前景除了质量的改善外，近几年来，商业化进程取得了巨大的进步。除了创造有利于供应商和用户的竞争格局之外，有多家 SiC MOSFET 供应商可以满足对第二供应商的担忧。如前所述，鉴于器件的漫长演进过程，多家 SiC ...; 分类: 联盟动态 2021-12-13 11:21

ST第三代碳化硅产品问世，引领电动汽车和工业市场新变革: ✦意法半导体最新一代碳化硅(SiC)功率器件，提升了产品性能和可靠性，保持惯有领先地位，更加适合电动汽车和高能效工业应用✦持续长期投资SiC市场，意法半导体迎接未来增长意法半导体(简称ST)推出第三代 ...; 分类: 联盟动态 2021-12-13 11:21

超150亿！广东光大第三代半导体项目签约东莞: 12月9日，在松山湖建园20周年“改革、创新、再出发”大会上，一批重大项目签约落户，总投资金额超246亿元人民币，涉及半导体、新材料、生物医药、智能制造等新兴产业领域。南方Plus报道称，本次签约的半导体项目包括 ...; 分类: 联盟动态 2021-12-13 11:19

用于取代IGBT的碳化硅（SiC）MOSFET（上）: 来源：汽车半导体情报局不过最近几十年来，它已被用作电子材料，最初用于发光二极管（LED），最近又被用于电力电子设备，包括肖特基势垒二极管（SBD），结型场效应晶体管（JFET）和MOSFET晶体管。由于SiC MOSFET具有 ...; 分类: 联盟动态 2021-12-13 11:19

第三代半导体：新能源汽车变革加速，长景气供需共振（下）: 终端应用市场的需求繁荣将拉动对GaN晶圆的广阔需求空间。据CASA Research估计，到2025年，全球相关GaN 6英寸晶圆需求将达到129万片，我国GaN 6英寸晶圆需求将达到67.4万片。6英寸、8英寸GaN晶圆的面积分别为176.71、 ...; 分类: 联盟动态 2021-12-10 14:16

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