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宽带隙 (WBG) 功率器件的变革: *Vol.114报告主题：宽带隙 (WBG) 功率器件的变革报告作者：Anant Agarwal报告内容包含：（具体内容详见下方全部报告内容）为什么选择宽带隙半导体用于功率开关过去 25 年的发展简史展望未来 --50% 的可再生能源并网. ...; 分类: 联盟动态 2022-9-23 14:47

第三代半导体关键材料研发商汉骅半导体完成数亿元B轮融资: 半导体产业网获悉：近日，苏州汉骅半导体有限公司完成数亿元B轮融资，由苏州冠亚领投，弘晖资本、望睿投资、高新金控等共同投资。　　据了解，汉骅半导体由江苏产研院/国创中心、苏州工业园区作为基石投资人，与海外 ...; 分类: 联盟动态 2022-9-23 14:46

小鹏发布国内首款搭载800V碳化硅高压电驱平台量产电动车G9: 小鹏汽车9月21日晚召开发布会上市小鹏G9新能源电动车，定位“超快充全智能SUV”，新车售价30.99万元-46.99万元，有望于2022年10月底开始正式交付。值得注意的是，小鹏G9是国内首款搭载800V碳化硅高压电驱平台量产电 ...; 分类: 联盟动态 2022-9-23 14:46

安森美SiC扩产：产能提高16倍: 今天，安森美庆祝其在捷克共和国 Roznov 扩建的碳化硅 (SiC) 工厂的落成。从 2019 年开始，onsemi 将 SiC 抛光晶圆和 SiC 外延 (EPI) 晶圆生产添加到其在 Roznov 现有的硅抛光和外延晶圆和die制造中，并在去年开始重 ...; 分类: 联盟动态 2022-9-23 14:44

自支撑GaN衬底上的高性能常关型PGaN栅极HEMT: 摘要：本文做出了自支撑GaN衬底上的高性能常关型PGaN栅极HEMT，用AlN截止层和SF6基刻蚀气体做到了自终止刻蚀技术。对比Si基HEMT，GaN on GaN HEMT电流密度更高，低亚阈值摆幅更低，漏电流更低，静态和动态电阻更低， ...; 分类: 联盟动态 2022-9-22 13:53

现在进行时，SiC正在迈入8英寸时代: SiC功率器件因其优异的特性而广泛应用于新能源汽车、特高压输电及轨道交通等领域。SiC材料的临界击穿场强约比Si材料大10倍，这也就意味着，在给定的掺杂浓度下SiC器件的耐压水平比Si器件高两个数量级。同时，SiC器件 ...; 分类: 联盟动态 2022-9-22 13:52

SiC成本逐步下降，行业有望迎来爆发拐点: 1.SiC产业链逐步成熟1.1.SiC具有优秀材料特性，适用于高压、高频场景SiC 具有优秀的材料特性。碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，并和氮化镓（GaN）都具有宽禁带的特性，被称为第三代半 ...; 分类: 联盟动态 2022-9-22 13:51

第三代半导体碳化硅行业深度研究报告（下）: 新能源汽车市场日益火爆，需求释放推动碳化硅市场快速增长。2020 年，全球新能源汽车市场销量为 400 万辆，其中插电混合动力 PHEV 类占比 37.50%，纯电动BEV 类占比 67.50%，是当前市场的主要品类。我们预计，2021-2 ...; 分类: 联盟动态 2022-9-22 13:50

第三代半导体碳化硅行业深度研究报告（上）: 作者：刘双锋、孙芳芳一、碳化硅 SiC 为第三代半导体材料1.1 半导体材料市场广阔半导体行业市场规模较大，产业链较长，技术门槛较高且应用广泛，是现代电子信息产业的基础。半导体行业的产业链主要包括上游半导体材 ...; 分类: 联盟动态 2022-9-22 13:46

山东大学实现高质量8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底制备: 近日，由徐现刚教授领衔的山东大学晶体材料所团队采用物理气相传输法（PVT）扩径获得了 8 英寸 4H-SiC 籽晶，用于 8 英寸导电型 4H-SiC 晶体生长，并加工出厚度 520 μm 的 8 英寸 4H-SiC 衬底。使用拉曼光谱、全自 ...; 分类: 联盟动态 2022-9-22 13:45

广汽埃安、芯聚能、博世达成战略合作，聚焦碳化硅电驱系统业务: 9月17日，据芯聚能官微发布，广汽埃安、芯聚能、博世签署三方战略合作协议，启动在碳化硅电驱系统业务上的全面战略合作！在汽车电动化、智能化浪潮带动下，汽车芯片产业链承压，“缺芯”难题困扰着众多汽车产业链企 ...; 分类: 联盟动态 2022-9-21 17:25

碳化硅龙头忙扩产，韩国企业强攻SiC: 需求高涨之下，近期，碳化硅（SiC）行业的头部企业如Wolfspeed、安森美不断布局碳化硅产业以及大量的新增产能，甚至跨行联名款不断涌现。The Elec报导，SK Siltron将供应晶圆，RFHIC则提供SiC和GaN的专业知识。RFHIC ...; 分类: 联盟动态 2022-9-21 17:24

一文了解金刚石半导体: 今天我们聊一聊超宽禁带半导体材料金刚石。金刚石材料具备载流子迁移率高、载流子饱和漂移速率大、击穿场强大等特性，是制造大功率、高温、高频器件的理想材料，由于它的带隙宽、热导率高、击穿电场强、极高的电荷迁 ...; 分类: 联盟动态 2022-9-21 17:18

北京顺义区发布进一步促进第三代等先进半导体产业发展的若干措施公开征集意见: 半导体产业网获悉：9月19日，为深入落实《北京市加快科技创新构建高精尖经济结构系列文件》（京发〔2017〕27号）要求，加快顺义区构建“北京第三代半导体创新型产业集聚区”，中关村科技园区顺义园管理委员会联合顺 ...; 分类: 公告通知 2022-9-21 17:17

三方共建，南京理工大学微电子学院（集成电路学院）成立: 近日，南京理工大学微电子学院（集成电路学院）正式揭牌成立。据悉，该学院由中国电子科技集团、南京市人民政府和南京理工大学三方共建，学院将面向国家科教兴国、人才强国、创新驱动、“长三角一体化”发展等重大战 ...; 分类: 联盟动态 2022-9-21 17:16

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