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安森美 | 碳化硅芯片的设计和制造: 众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有 ...; 分类: 联盟动态 2023-4-7 09:09

SiC | 英飞凌与Infinitum合作开发可持续性轻型空心电机: 英飞凌将在新技术合作中提供CoolSiC MOSFET和其他半导体英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）在 APEC 2023 (美国应用能源电子展)上宣布将与Infinitum 携手合作。这是一家创造了可持续、突破性空 ...; 分类: 联盟动态 2023-4-7 09:07

Yole 中国引领氮化镓功率器件，未来应用电信/数据通信和汽车领域: Yole 观点 | 中国引领氮化镓功率半导体消费器件，推动此类产品未来应用于电信/数据通信和汽车领域随着宽禁带材料开始在功率电子领域取代硅，氮化镓在消费市场站稳脚跟，这将在今后几年里带来这类材料在功率器件市场 ...; 分类: 联盟动态 2023-4-7 09:06

碳化硅和IGBT并行不悖，新能源汽车功率器件怎么配？: 近期，特斯拉宣布将大砍碳化硅用量75%的消息冲上了热搜。这一消息，也让业内对于碳化硅究竟能否替代IGBT在新能源汽车中的地位，产生了怀疑。曾被“捧上天”的碳化硅是否真的要“跌落神坛”？碳化硅在新能源汽车领域 ...; 分类: 联盟动态 2023-4-6 09:35

碳化硅市场的低调赢家: 半导体制造是现代的炼金术过程，是一种复杂的舞蹈，需要数千家公司和数万个工艺步骤的和谐同步。由于其复杂性，良率是该行业超过1000亿美元的问题。因此，制造过程包含持续不断的关键状态检查流，以支持人类创造的最 ...; 分类: 联盟动态 2023-4-6 09:34

氧化镓打开芯片大战新篇章！: 氧化镓打开芯片大战新篇章！2023-04-06 09:07·宽禁带联盟氧化镓是一种很有前途的材料，可用于制造用于电动汽车和其他应用的更高效的功率器件。引人注目的是，该领域领先的美国公司的一个主要投资者是美国国防部。正 ...; 分类: 联盟动态 2023-4-6 09:32

“高精尖”宽禁带半导体产业技能高级研修班开始招生啦！: 01 活动简介宽禁带半导体，以碳化硅和氮化镓为代表，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求，是支撑新一代移动通信、新能源汽车、 ...; 分类: 公告通知 2023-4-6 09:16

功率器件的新欢与旧爱：SiC MOSFET与Si IGBT: 现代功率半导体技术飞速发展至今，硅基功率半导体器件性能已逼近其材料极限。Si IGBT作为主流的硅基功率开关器件，其具有低导通损耗及低成本的优势，但高开关损耗限制了其在高开关频率、高功率密度变换器中的应用。 ...; 分类: 联盟动态 2023-4-4 09:29

缺陷密度对4H-SiC衬底力学特性的影响: 介绍结构扩展和点状缺陷的存在不仅会从电气角度影响SiC器件的性能，还会从机械角度影响SiC器件的性能。众所周知，SiC缺陷不利于电气可靠性和性能;它们对设备机械产量的影响没有得到适当的研究。在这方面，研究4H-SiC ...; 分类: 联盟动态 2023-4-4 09:19

采用氮化镓IC的电动助力转向: 在现代汽车中，增加的重量和更宽的前轮胎使无辅助转向变得不切实际，因为对操作员的阻力增加。因此，几年前，采用了电动助力转向。一开始，对驾驶员的辅助是通过液压系统完成的，并且始终运行的泵用于为回路中使用的 ...; 分类: 联盟动态 2023-4-4 09:17

关于举办“高精尖”宽禁带半导体产业技能高级研修班的通知: 2023年5月9日-11日 “高精尖”宽禁带半导体产业技能高级研修班开课啦; 分类: 公告通知 2023-4-3 11:16

开放、创新、融合，硬科技项目交流会，等你来参加！: 活动简介当前，我国半导体企业正迎来新一轮发展，为了推动半导体产业的高效运作和技术供需对接，促进投融资、产业链、创业服务等各环节资源要素融合，提高行业整体服务质量，促进各个环节的良好合作，宽禁带联盟、工 ...; 分类: 公告通知 2023-4-3 09:35

三星电子计划投资8英寸SiC功率半导体：已经投入5-10亿元: 3月30日新闻，据韩媒THELEC报道称，三星电子正在推进设备投资，以开发8英a寸SiC/GaN工艺。据了解，迄今为止完成的投资仅在 1000 亿至 2000 亿韩元之间（折合人民币5.3亿-10.6亿元）。该行业正在寻找一个可以超越简单 ...; 分类: 联盟动态 2023-4-3 09:28

超高速氮化镓控制芯片: 通过将脉冲宽度减小到2ns，罗姆称其可以使用单个电源IC将高达60V的电压降到低至0.6V的低电压。罗姆开发了超高速控制 IC 技术，以最大限度地提高 GaN 和其他高速开关器件的性能。近年来，GaN器件因其优异的高速开关特 ...; 分类: 联盟动态 2023-4-3 09:23

西电芜湖研究院宽禁带半导体器件试制线成功通线: 3月25日，西电芜湖研究院举办宽禁带半导体器件试制线通线仪式，中国科学院院士郝跃，芜湖市人民政府副市长朱的娥出席活动并致辞。朱的娥对西电芜湖研究院试制线成功通线表示祝贺。朱的娥表示，试制线成功通线是西芜 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-31 09:41

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